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Memorie

Samsung può creare chip di memoria 3D a 12 piani

Samsung ha creato la prima tecnologia 3D-TSV di packaging dei chip che permette d'impilare fino a 12 soluzioni DRAM.

Samsung Electronics ha annunciato di aver messo a punto la prima tecnologia per impilare fino a 12 chip di memoria DRAM. Stiamo parlando di una tecnologia 3D-TSV (Through Silicon Via) a 12 layer, con interconnessioni verticali che collegano tra loro 12 chip DRAM grazie a oltre 60.000 fori TSV con una larghezza di un ventesimo dello spessore di un capello umano.

Lo spessore del package è di 720 micrometri, lo stesso dei prodotti attuali con 8 layer di High Bandwidth Memory 2 (HBM2). In questo modo i prodotti di prossima generazione potranno offrire maggiori prestazioni e capacità di memoria senza modificare il proprio design.

La tecnologia di packaging 3D figura inoltre un miglior tempo di trasmissione dei dati tra i chip rispetto a quello garantito dall’attuale tecnologia “wire bonding”, assicurando così minori consumi e velocità più elevate.

Grazie alla possibilità di aumentare il numero di layer impilati da 8 a 12, Samsung sarà presto in grado di produrre memoria HBM in volumi fino a 24 GB. “Una tecnologia di packaging che fa fronte a tutte le complessità della memoria ad alte prestazioni sta diventando tremendamente importante, con la possibilità di essere impiegata in nuovi settori come l’intelligenza artificiale (AI) e l’High Power Computing (HPC)”, ha affermato Hong-Joo Baek, vicepresidente esecutivo del gruppo TSP (Test & System Package) di Samsung Electronics.

“Con lo scaling della Legge di Moore che sta raggiungendo i propri limiti, ci si aspetta che il ruolo della tecnologia 3D-TSV diventi ancora più centrale. Vogliamo essere all’avanguardia di questa tecnologia di packaging allo stato dell’arte”.