Storage

Samsung si prepara a lanciare SSD con V-NAND da oltre 170 strati

Samsung ha introdotto le sue prime memorie 3D NAND prodotte in serie, soprannominate V-NAND, nel 2013, ben prima dei suoi rivali. All’epoca Samsung aveva iniziato con i chip V-NAND a 24 strati e ora, avendo acquisito molta esperienza con le memorie flash multistrato, è sulla buona strada per introdurre i dispositivi V-NAND a 176 strati. Ma questo è solo l’inizio: Samsung afferma che in futuro prevede chip V-NAND con più di 1.000 strati.

Samsung SSD 980 NVMe M.2

Samsung intende iniziare a produrre SSD consumer basati sulle sue memorie V-NAND di settima generazione che presentano 176 livelli e, secondo l’azienda, le celle di memoria NAND più piccole del settore. L’interfaccia di queste nuove flash vantano una velocità di trasferimento dati di 2000 MT/s, consentendo alla compagnia coreana di creare SSD ultraveloci con interfacce PCIe 4.0 e PCIe 5.0. Le unità utilizzeranno un controller completamente nuovo “ottimizzato per enormi carichi di lavoro multitasking“.

Nel frattempo, l’azienda introdurrà SSD di livello data center basati sulle sue memorie V-NAND a 176 strati. È logico aspettarsi che le nuove unità offrano prestazioni migliorate e capacità più elevate. Mentre i chip V-NAND a 176 strati si stanno avvicinando alla produzione di massa, Samsung ha già realizzato i primi prototipi delle sue V-NAND di ottava generazione con oltre 200 strati. Samsung afferma che inizierà a produrre queste nuove memorie in base alla domanda del mercato.

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Ci sono diverse prove che Samsung e altri produttori di NAND dovranno affrontare nel tentativo di aumentare il numero di livelli. Rendere le celle NAND piccole (e gli strati più sottili) richiede l’utilizzo di nuovi materiali per immagazzinare le cariche in modo affidabile e anche l’incisione di centinaia di strati è una vera sfida. Dal momento che non è fattibile o economico incidere centinaia di strati (cioè costruire un wafer NAND 3D da 1.000 strati in un unico passaggio), i produttori utilizzano tecniche come lo string stacking, che è anche abbastanza difficile da realizzare in grandi volumi. Infine, i produttori di flash devono assicurarsi che i loro stack di NAND 3D siano sufficientemente sottili da adattarsi a smartphone e PC. Di conseguenza, non possono semplicemente aumentare il numero di strati per sempre, ma Samsung ritiene che siano fattibili chip da oltre 1.000 strati.

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