Samsung ha avviato la produzione in elevati volumi di memoria NAND di tipo TLC da 128 gigabit usando un processo produttivo inferiore ai 20 nanometri. Nello specifico l'azienda parla di una produzione nella "classe dei 10 nanometri", certamente inferiore ai 21 nanometri con cui realizza la memoria - sia TLC che MLC - presente negli SSD 840 e 840 Pro.
L'azienda sudcoreana corre quindi spedita verso la vera produzione a 10 nanometri, prevista per il prossimo anno, realizzando chip da 16 GB dotati di una velocità di 400 Mb/s con interfaccia toggle DDR2 che permetteranno di produrre SSD ancora più capienti, veloci e in grado di consumare meno energia. Dovremo assistere anche a un calo dei prezzi della memoria, in linea con il trend attuale.
Nello specifico Samsung parla di espandere la disponibilità della schede di memoria da 128 GB, in grado di archiviare sedici video in HD da 8 GB, ma anche aumentare la produzione in volumi di SSD con densità superiori ai 500 GB. L'azienda fa notare che grazie alla nuova memoria crescerà il numero di portatili che si affideranno esclusivamente all'archiviazione su SSD.