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Snapdragon 835 in arrivo, sarà prodotto a 10 nanometri

Samsung produrrà per Qualcomm il nuovo chip mobile di fascia alta Snapdragon 835 con il processo produttivo a 10 nanometri FinFET. Integrerà la tecnologia Quick Charge 4.

Qualcomm ha presentato il nuovo Snapdragon 835, SoC di fascia che andrà a rimpiazzare i chip Snapdragon 820 e 821. L'azienda non ha svelato informazioni tecniche durante lo Snapdragon Technology Summit di New York, ma ha confermato un importante dettaglio: il chip sarà prodotto con processo produttivo a 10 nanometri FinFET di Samsung (10LPE).

Snapdragon 835 10nm Qualcomm Samsung

Il processo a 10 nanometri FinFET dell'azienda sudcoreana adotta transistor con struttura 3D e alcuni miglioramenti tanto nella progettazione quanto nella produzione rispetto ai 14 nanometri. Samsung cita per esempio la litografia triple-patterning e afferma che la nuova tecnologia "permette un incremento nell'efficienza d'uso dell'area fino al 30%, insieme a prestazioni il 27% maggiori o consumi il 40% più contenuti".

Nella seconda metà 2017 Samsung passerà alla seconda generazione del processo a 10 nanometri FinFET, nome in codice 10LPP, che migliorerà le prestazioni rispetto al 10LPE. Il salto dai 14 a 10 nanometri dovrebbe consentire allo Snapdragon 835 di avere un die più piccolo dello Snapdragon 820 e migliorare l'autonomia dei dispositivi mobile. Lo Snapdragon 835 è già in produzione ad alti volumi e dovrebbe arrivare sui primi prodotti entro metà 2017.

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Nel corso della conferenza Qualcomm ha anche annunciato Quick Charge 4, la tecnologia per la ricarica veloce di cui erano trapelate indiscrezioni nei giorni scorsi. L'azienda statunitense promette tempi di ricarica il 20% più rapidi e un'efficienza il 30% maggiore rispetto a Quick Charge 3.

Con Quick Charge 4 sarà possibile ricaricare il 50% della batteria in 15 minuti o meno. Con 5 minuti di carica Quick Charge 4 garantirà fino a 5 ore di autonomia. Non male vero?

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Sono diverse le migliorie apportate dal colosso dei microchip alla sua tecnologia. La prima è che Quick Charge 4 è compatibile con USB Type-C e le specifiche USB Power Delivery (USB-PD) stabilite dallo USB-IF. La nuova versione dovrebbe inoltre soddisfare le linee guida di Google indicate nell'Android 7 Compatibility Definition Document (CDD).

Quick Charge 4 adotta inoltre una versione rinnovata dell'algoritmo INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage) che ora include la gestione termica in tempo reale per ottimizzare il trasferimento di energia. La tecnologia promette di mantenere il telefono 5 °C più fresco rispetto alla precedente versione.

L'azienda ha anche aggiornato Battery Saver Technologies per far sì che la batteria mantenga almeno l'80% della sua capacità di carica originaria dopo 500 cicli di ricarica.

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Quick Charge 4, infine, integra funzioni di protezione come over-voltage, over-current e quattro livelli di over-temperature per garantire la massima sicurezza durante la fase di ricarica. Quick Charge 4 sarà disponibile sui dispositivi dotati di chip Snapdragon 835.

L'azienda, in ultimo, ha annunciato un programma di ricompense per chi trova vulnerabilità nei chip e nei modem LTE Snapdragon. È la prima volta che un produttore di chip annuncia un programma simile, mentre è pratica comune nel settore software. Il tutto sarà gestito in collaborazione con la piattaforma HackerOne e Qualcomm offrirà fino a 15.000 dollari di premio in base alla gravità delle falle identificate.

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