SSD Intel G3 avvistato in Cina, ecco il primo test

Gli SSD Intel G3 con memoria flash NAND a 25 nanometri appaiono in Cina. I primi test sembrebbero confermare le indiscrezioni precedenti.

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a cura di Manolo De Agostini

Il sito Expreview scrive di aver avvistato un SSD Intel di terza generazione in Cina. La serie G3 (nome in codice Postville Refresh), basata su memoria flash NAND a 25 nanometri, dovrebbe debuttare nel corso del primo trimestre 2011 (SSD Intel con memoria a 25nm. Solo a febbraio?).

La cosa più interessante è che una di queste soluzioni è apparsa sull'equivalente cinese di eBay (Taobao) e qualcuno ha eseguito qualche benchmark. Gli SSD Intel X25-M G3 dovrebbero arrivare sul mercato in capacità di 80, 160, 300 e 600 GB. Secondo precedenti indiscrezioni dovrebbero avere velocità di lettura e scrittura fino a 250 MB/s e 170 MB/s (SSD Intel X25-M e X25-E G3, specifiche dettagliate).

Secondo i primi test, da prendere con le molle, l'unità da 160 GB provata è in grado di raggiungere 218 MB/s in lettura e 167,4 MB/s in scrittura. Il primo dato è inferiore alle "attese", mentre il secondo è simile alle stime. Non ci resta che attendere di avere gli SSD in prova per confermare o smentire questi dati.