Quando si tratta di record inerenti alla memoria, siamo più abituati a vedere i produttori o gli appassionati di overclock che mostrano i loro picchi di frequenze. Tuttavia, oggi vi riportiamo un altro record mondiale decisamente atipico, seppur molto interessante, stabilito da Team Group e che riguarda le velocità di lettura e scrittura.

Il risultato di Team Group è stato raggiunto su una configurazione DDR-4 Quad Channel usando le memorie gaming T-Force Xtreem ARGB DDR4 della compagnia, introdotte sul mercato alla fine dello scorso anno. A quanto pare, è stata registrata una velocità di scrittura di ben 104.646MB/s, mentre quella di lettura è arrivata a 136.687MB/s. Il record è stato stabilito dall’overclocker taiwanese LeeGH.

I moduli impiegati sono stati i CL14 T-Force Xtreem ARGB a 3.200MHz, i quali sono stati sottoposti ad elevati overclock. LeeGH ha portato le memorie sino a 4.300MHz pur mantenendo il valore di latenza a CL14. Ciò è stato realizzato utilizzando un processore Intel Core i9-9940X installato su una scheda madre Asus ROG Rampage VI Extreme Encore.

Facciamo presente che questo record riguarda solo le memorie in configurazione Quad Channel. Scorrendo il database di AIDA64 possiamo scorgere anche valori superiori in lettura e scrittura, ma sono stati ottenuti usando DDR-4 Hexa Channel ed è normale riuscire ad avere prestazioni ulteriormente più alte. Tuttavia, nonostante ciò, per Team Group e LeeGH è stato indubbiamente impressionante raggiungere il 5° posto nella classifica globale di AIDA64 usando “solo” una configurazione Quad Channel.

Continuando a parlare di memorie, recentemente SK Hynix, fornitore di memorie DRAM sudcoreano, ha comunicato che è iniziata la produzione su larga scala delle memorie ad alte prestazioni HBM2E. Queste ultime disporranno di 1024 I/Os (Inputs/Outputs), con velocità di 3,6Gbps per pin (ovvero una velocità totale di 3686,4Gbps) che renderebbero queste memorie la soluzione più veloce e performante nell’ambito industriale. Inoltre, qualche settimana fa Lexar, tramite un comunicato stampa, ha annunciato, per la prima volta nella storia dell’azienda, la propria entrata nel mercato delle memorie DRAM.

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