La produzione di memoria NAND Flash di Toshiba e SanDisk si concentrerà, almeno nell'immediato, sulla memoria NAND Flash a 15 nanometri tradizionale. Le due aziende, comproprietarie di alcuni impianti produttivi, non sono infatti pronte a passare alla memoria 3D V-NAND. Si tratta di memoria il cui sviluppo non avviene più su un piano bidimensionale (2D), bensì in verticale, quindi con strati impilati sull'altro come i piani di un grattacielo. Da qui il termine 3D. Realizzare memorie in questo modo permette di aumentare la densità areale di bit e questo consente di ridurre la complessità (costi inferiori), aumentare affidabilità e prestazioni.
Al momento la memoria 3D V-NAND è offerta solo da Samsung, che l'ha usata in alcuni SSD per il settore server e soprattutto nei nuovi prodotti di punta SSD 850 Pro. Toshiba e Sandisk avvieranno la produzione in massa solo nel 2016, a tre anni di distanza dalla concorrente sudcoreana. I primi sample saranno infatti pronti solo nella seconda metà del prossimo anno. "Lo sviluppo della nostra tecnologia 3D NAND continua a fare buoni progressi e ci aspettiamo di essere in produzione pilota nella seconda metà del 2015 con l'obiettivo di produrre in volumi nel 2016", ha dichiarato Sanjay Mehrotra, amministratore delegato di SanDisk.
Al momento non è chiaro come sarà la memoria 3D V-NAND delle due aziende, ma secondo alcuni analisti sarà composta da 16 layer. Samsung ha invece dapprima prodotto una soluzione a 24 strati, per poi passare a 32 strati. L'azienda sudcoreana ha da poco avviato anche la produzione di 3D V-NAND di tipo TLC (3 bit per cella anziché 2).
Insomma, Toshiba e SanDisk potrebbero avere tempi difficili nel far fronte alla concorrenza di Samsung. Per quanto concerne la produzione di memoria MLC a 15 nanometri, dopo l'annuncio di fine aprile, SanDisk ha affermato che tutto fila liscio: le consegne inizieranno nel corso di questo trimestre e la produzione crescerà di volumi nel primo trimestre del prossimo anno. Aspettiamoci quindi annunci di nuovi prodotti nella prima metà del prossimo anno, con la speranza che si abbassi ulteriormente il prezzo per gigabyte. Toshiba e SanDisk stanno realizzando chip a 128 gigabit (16 gigabyte).