Secondo una giuria federale in Texas, Samsung Electronics deve pagare 400 milioni di dollari alla Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST) per aver infranto un brevetto relativo ai FinFET (Finbased field-effect transistor).
L'azienda sudcoreana ricorrerà in appello, e non è l'unica implicata nella vicenda stando a Bloomberg, che cita anche Qualcomm (cliente di Samsung) e Globalfoundries (partner dell'azienda sudcoreana).
KAIST IP US, la divisione dell'Università che si occupa di concedere in licenza le tecnologie messe a punto dai propri ricercatori, ritiene che Samsung abbia "giocato sporco", liquidando la ricerca sui transistor FinFET in un primo momento, pensando che si sarebbe trattata di "una moda passeggera".
Tutto però sarebbe cambiato quando la rivale Intel ha iniziato a concedere in licenza l'invenzione e a sviluppare i propri prodotti. Samsung ha rigettato tale ricostruzione, affermando di aver lavorato con l'ateneo per sviluppare la tecnologia e negando di aver infranto il brevetto. L'azienda ha inoltre messo in discussione la validità dello stesso.
L'infrazione di Samsung è risultata essere "intenzionale", il che significa che il giudice potrebbe aumentare il risarcimento fino a tre volte l'importo fissato dalla giuria. Samsung si è detta delusa dal verdetto. "Considereremo tutte le opzioni per ottenere un risultato ragionevole, compreso un ricorso". Qualcomm e GlobalFoundries hanno invece optato per mettere in piedi una difesa congiunta.
I transistor FinFET sono alla base di tutti i moderni processori in quanto permettono minori consumi e velocità superiori. Si tratta di un transistor tri-gate MOSFET realizzato su un substrato in cui il gate è posto su due, tre o quattro lati del canale o avvolto attorno al canale, formando una struttura a doppio gate.
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