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TSMC avvia la produzione in volumi di chip a 7 nanometri

TSMC ha annunciato di aver avviato la produzione in volumi di chip basati sulla prima generazione del suo processo produttivo a 7 nanometri FinFET, noto con il nome CLN7FF. L'azienda taiwanese, che realizza chip per conto terzi (AMD, Nvidia e altri), ha dichiarato che ha già più di una dozzina di clienti e decine di […]

TSMC ha annunciato di aver avviato la produzione in volumi di chip basati sulla prima generazione del suo processo produttivo a 7 nanometri FinFET, noto con il nome CLN7FF.

L'azienda taiwanese, che realizza chip per conto terzi (AMD, Nvidia e altri), ha dichiarato che ha già più di una dozzina di clienti e decine di progetti pronti a essere realizzati con quel processo.

Stando a quanto riportato da Anandtech, i 7 nanometri di TSMC rappresentano un netto passo avanti rispetto ai precedenti 16 nanometri FinFET (CLN16FF+), che rappresenta il processo di questo genere (FinFET) più diffuso in questo momento.

chip wafer

Si parla di una riduzione della dimensione del die del 70% (con lo stesso numero di transistor), un calo dei consumi del 60% oppure un aumento della frequenza del 30%. Finora TSMC ha eseguito il tape out di 18 progetti diversi con il processo CLN7FF, con buone rese produttive e prestazionali, ma si punta a superare quota 50 entro fine 2018.

Il processo CLN7FF e le sue successive incarnazioni potrebbe trovare ampio spazio nel mondo hi-tech, a differenza dei 10 nanometri usati solo da alcuni clienti. Si prevede che sarà applicato per la produzione di GPU, GPU, FPGA, ASIC, SoC mobile e molto altro.

Sempre a detta di Anandtech, gli attuali 7 nanometri di TSMC si affidano al processo litografico deep ultraviolet (DUV) con laser a eccimeri di fluoruro di argon con una lunghezza d'onda di 193 nm. In questo modo l'azienda è in grado di usare i macchinari esistenti.

TSMC, cambiamenti tra i processi produttivi
  Da 20nm a 16nm FF+ Da 16nm FF+ a 10nm FF  Da 16n FF+ a 7nm Da 10nm FF a 7nm FF Da 7nm FF a 7nm FF+
Consumi 60% 40% 60% <40% 10%
Prestazioni 40% 20% 30% Ignoto Prestazioni superiori
Riduzione area Nessuna >50% 70% >37% Circa il 17%

Il prossimo anno l'azienda intende introdurre il primo processo che farà uso della litografia EUV (extreme ultraviolet) per alcuni layer. Si chiamerà CLN7FF+ e rappresenterà la seconda generazione dei 7 nanometri. La produzione dovrebbe partire a metà 2019.

Quel processo dovrebbe garantire un aumento della densità dei transistor del 20% e una riduzione dei consumi del 10% con la stessa complessità e frequenza. "I risultati nella produzione di silicio con processo N7+ sono molto incoraggianti", ha dichiarato C. C. Wei, co-CEO e presidente di TSMC.