Con la necessità di realizzare chip sempre più piccoli e potenti, era inevitabile che la ricerca puntasse a trovare un modo per ridurre sensibilmente il calore generato così da avere prodotti più stabili. Alcuni scienziati della Lawrence Berkeley National University hanno recentemente pubblicato un articolo nel quale illustrano i risultati dei loro esperimenti inerenti a una nuova generazione di nanofili di silicio ultrasottili che utilizzano il silicio-28 (Si-28) purificato isotopicamente. Questi ultimi hanno la possibilità di condurre il calore in modo più efficiente del 150%, aprendo la strada a transistor ancora più performanti.
Ricordiamo che il silicio naturale è composto da tre isotopi: silicio-28, silicio-29 e silicio-30. Il primo di essi è il più abbondante in natura e, se purificato, è in grado di condurre il calore circa il 10% in più rispetto al silicio naturale. Nonostante sino ad ora non fosse mai stato considerato ampiamente, gli scienziati hanno scoperto che creando nanofili Si-28 da 90nm è possibile avere una conduttanza migliore addirittura del 150%. A quanto pare, questo incredibile risultato è dovuto alla loro migliore finitura vetrosa e alla formazione di uno strato naturale di SiO2.
I nanofili in Si-28 purificati isotopicamente possono essere impiegati per migliorare tecnologie esistenti, come i Gate-All-Around Effect Transistor (GAA-FET), che già utilizzano nanofili di silicio impilati per condurre l'elettricità ma soffrono ancora del problema inerente all'accumulo di calore. Con questi nuovi nanofili, la situazione potrebbe migliorare sensibilmente.
Ovviamente, al momento gli studi su questa nuova tecnologia sono ancora a uno stadio preliminare e sembra che attualmente ci sia una carenza di Si-28 purificato per condurre ulteriori analisi. A ogni modo, se i benefici introdotti da questi nanofili saranno confermati, potremmo vedere tecnologie di processo più raffinate del previsto in futuro. Per il momento, non ci resta altro che restare in attesa di ulteriori aggiornamenti a riguardo.