I ricercatori guidati dal professor Myung-Soo Jeong presso il Korean Advanced Institute of Science and Technology (KAIST) hanno sviluppato un nuovo controller SSD in grado di superare la velocità di 7GB/s in lettura, come riportato da FNN News. Il controller è stato creato impiegando gli standard OpenExpress ed i suoi progetti sono disponibili gratuitamente per università e istituti di ricerca.
La velocità di lettura di 7GB/s non viene raggiunta neppure dai più prestanti SSD NVMe in commercio e di conseguenza si tratta di un risultato davvero interessante. Teoricamente, le unità NVMe che utilizzano quattro linee PCI-Express 4.0 dovrebbero essere in grado di raggiungere questa velocità, ma i controller commerciali al momento non sono ancora stati in grado di saturare la larghezza di banda PCIe, tra cui il popolare controller PS5016-E16 di Phison, che raggiunge al massimo circa 5GB/s, o anche il tanto discusso SSD proprietario di Playstation 5, prossima console di casa Sony, che dovrebbe garantire 5,5GB/s.
Tuttavia, l'SSD creato dai ricercatori non può essere impiegato su una scheda in formato M.2 come gli SSD commerciali. Al contrario, è costruito su un FPGA personalizzato ed è più grande degli SSD M.2 a cui siamo abituati. Il professor Jeong ha affermato che i progetti dovranno essere utilizzati da università e istituti di ricerca come alternativa alle costose offerte attuali.
Continuando a parlare di SSD, recentemente Sabrent ha lanciato il suo PCIe 4.0 M.2 da 4TB della linea Rocket Q4, il primo a raggiungere una tale capacità su interfaccia PCI Express 4.0 e che assicura velocità in lettura fino a 4.900MB/s, mentre in scrittura può giungere a 3.500MB/s, numeri davvero di tutto rispetto. Il dispositivo, tuttavia, si basa sulla tecnologia QLC con 4 bit per cella.
Circa un mese fa, invece, vi abbiamo parlato di Enmotus ed i suoi SSD “intelligenti”, che utilizzano l’IA per identificare e posizionare in modo intelligente i dati richiesti più frequentemente sui 128GB di veloci chip flash SLC per migliorare le prestazioni, mentre i dati a cui si accede di meno vengono archiviati sui più lenti chip flash QLC. La cache SLC ad alta resistenza assorbe inoltre tutti gli incarichi di scrittura, rendendo il dispositivo più resistente e durevole nel tempo.
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