Il core dei processori VIA di prossima generazione, nome in codice “Esther”, sarà prodotto utilizzando le avanzate tecnologie di IBM a 90 nm SOI e low-k, in grado di assicurare performance più elevate e un minor consumo energetico.
Segue dichiarazione di VIA
VIA Technologies, Inc, Azienda leader nello sviluppo di innovative tecnologie nell’ambito dei chip al silicio e PC platform solution, annuncia di aver scelto IBM Microelectronics, primo fornitore mondiale nel mercato dell’Information Technology, quale foundry partner per i nuovi processori VIA con core “Esther” previsti per la seconda metà del 2004.
Alla base della scelta di questa partnership sta l’adozione da parte di IBM delle tecnologie produttive più avanzate, come le connessioni in rame, silicon-on-insulator (SOI) e l’utilizzo di materiale dielettrico a bassa costante k (low-k) insieme all’innovativo processo a 90 nm. Queste tecnologie sono state progettate per ridurre il consumo di energia e consentire contemporaneamente una frequenza di lavoro di 2 GHz e oltre, pur mantenendo lo stesso thermal envelope degli attuali processori di casa VIA.
“Siamo lieti di collaborare con IBM e crediamo che l’unione delle rispettive expertise nella progettazione e nella produzione ci consentirà di continuare a realizzare i più piccoli ed efficienti processori x86 al mondo.” ha affermato Wenchi Chen, Presidente e CEO di VIA Technologies, Inc. “I processori VIA favoriscono lo sviluppo di nuovi dispositivi in aree quali l’home ed il mobile entertainment; siamo fiduciosi che la partnership con IBM condurrà in futuro a innovazioni senza precedenti nell’ambito delle soluzioni che nasceranno dalla convergenza tra diverse tecnologie.”
La transizione dalla tecnologia a 130nm verso quella a 90nm offre nuove opportunità per il potenziamento delle prestazioni ed il risparmio energetico. Diminuendo le distanze interne percorse dai segnali elettrici si riducono anche i consumi di energia, mentre la tecnologia costruttiva low-k introdotta da IBM garantisce un incremento di circa il 30% delle prestazioni del computer, aumentando la velocità dei segnali all’interno del chip. Analogamente la tecnologia SOI CMOS (Complementary Metal Oxyde Semiconductor) di IBM limita il “transistor leakage”, assicurando un ulteriore miglioramento delle performance tra il 20% e il 35% ed una riduzione del consumo di energia.
I processori di prossima generazione di VIA saranno realizzati negli avanzati stabilimenti di produzione di wafer da 300 mm situati ad East Fishkill, N.Y.