Rambus ha svelato la Mobile Memory Initiative (MMI), un'iniziativa i cui sforzi saranno focalizzati sulle tecnologie di memoria, sia a basso consumo che ad alta velocità. L'obiettivo di Rambus è arrivare a una frequenza di 4.30 GHz, che con un dispositivo di memoria a 32 bit potrebbe portare ad avere un bandwidth di picco di circa 17 GB/s da una singola DRAM. In questo modo i progettisti potrebbero realizzare dispositivi mobile maggiormente complessi.
"Date le crescenti attese degli utenti verso applicazioni multimediali più ricche sui loro dispositivi mobile, serviranno nuove soluzioni di memoria per stare al passo con i crescenti requisiti di bandwidth", ha affermato Martin Scott, vicepresidente senior del reparto Research and Technology Development di Rambus.
Rambus ha parlato di tre differenti innovazioni che sono parte della MMI. La prima è "Very Low-Swing Differential Signaling" (VLSD), che si propone di aumentare le prestazioni minimizzando i consumi. La seconda è quella che Rambus chiama "FlexClocking Architecture", che usa un partizionamento asimmetrico e inserisce circuiti di calibrazione e timing all'interno dell'interfaccia di memoria, semplificando la progettazione dell'interfaccia DRAM e riducendo i consumi.
La terza tecnologia è "advanced power state management system" che assicura che la memoria si "accenda" solo quando necessario. L'architettura fornisce tempi di transizione veloci tra i tre stati di energia, passando dal consumo massimo della DRAM e del controller di memoria a uno stato dove il consumo è dato solo dalla dispersione di corrente.