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Samsung: iniziato lo sviluppo delle eUFS 3.0 da 512GB per smartphone top di gamma

Le nuove memorie interne sviluppate da Samsung saranno in grado di doppiare le prestazioni dell'attuale generazione

Samsung ha iniziato a produrre in maniera massiva la prima memoria flash eUFS 3.0 (embedded Universal Flash Storage 3.0) da 512GB. Quella di Samsung è una scelta più che comprensibile, naturale sviluppo di quella che è l’evoluzione tecnologica degli smartphone di nuova generazione. La nuovissima memoria flash di Samsung saranno in grado di raggiungere nuovi standard prestazionali per il mercato smartphone, si parla di performance fino a 20 volte superiori di quelle di una normale MicroSD ed in grado di quadruplicare quelle ottenute da un SSD SATA 3.

Le prime memorie eUFS furono presentate dal colosso coreano nel 2015, a queste fece seguito il taglio da 512 GB nel 2017 e successivamente vennero lanciate sul mercato le eUFS 2.1 da 1 TB di memoria. Da quello che si evince dal grafico le eUFS 2.1 si difendono ancora bene con una lettura che raggiunge i 1000 MB/s e una fase di scrittura di 260 MB/s. Tuttavia il confronto con la nuova generazione fa emergere differenze importanti: le nuove eUFS 3.0 sono in grado di doppiare i risultati ottenuti dalle 2.1, registrando un tranfer-rate di 2100 MB/s in lettura e 410 MB/s in scrittura.

Da sottolineare anche i dati emersi inerenti alla lettura e scrittura casuale che raggiungono rispettivamente 63.000 e 68.000 IOPS. Le nuove memorie embedded Universal Flash Storage 3.0 d 512 GB di Samsung saranno disponibili entro la fine del mese insieme ad una variante da 128 GB . La stessa azienda coreana ha comunicato che gli altri due tagli, quello da 256 GB e 1 TB, faranno il loro debutto entro la fine del 2019.

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