28. Ridurre le Latenze
Quando l'accesso di memoria è in corso, deve intercorrere un particolare periodo tra uno specifico indirizzo di memoria e l'accesso ai suoi contenuti; questa è chiamata latenza. Questo intervallo per la cella di memoria dovrebbe essere impostato a 2T per due cicli di clock, 3T per tre cicli di clock e così via. Un valore più piccolo per il " SDRAM CAS Latency" significa prestazioni migliori; valori più alti significano prestazioni peggiori.
I valori sicuri e corretti per il "SDRAM CAS Latency" sono abitualmente stampati su un'etichetta o incisi direttamente sul modulo di memoria. I valori tipici sono 3T o 2.5T per i moduli a basso costo. Cambiate questi parametri a 2.5T o persino 2T, poi testate il vostro sistema per verificarne stabilità. Alcuni produttori di memoria affermano che memorie capaci di arrivare a 2T possono lavorare anche a velocità di clock più elevate. Se valori minori delle latenze hanno successo, potrete anche provare ad aumentare la frequenza della memoria incrementando il valore dell'opzione "Memory Frequency".
Attenzione: Fate un solo cambiamento alla volta, poi riavviate e testate il tutto effettuando un benchmark. Questo vi aiuterà a tornare al valore corretto quando si presenterà l'instabilità.
29. Ridurre il Tempo di Carico della Memoria
Con le impostazioni corrette, la cella di memoria acquisisce la carica elettrica di cui ha bisogno per operare velocemente. Impostate un valore per l'opzione "SDRAM RAS Precharge Delay" (in cicli di clock) che indica l'intervallo tra quando il livello di carica è applicato e quando il segnalre RAS è stato inviato. Valori più piccoli, come "2", impostano un tempo più veloce rispetto a valori più alti, ma valori elevati assicurano maggiore stabilità del sistema. Riducete il numero di cicli di clock uno alla volta e testate la stabilità del vostro sistema dopo ognuno di questi cambiamenti.
30. Accorciare il Ritardo per il successivo accesso alla Memoria
L'opzione "SDRAM Active Precharge Delay" è anche specificata come il numero di cicli di memoria. Indica il ritardo tra il successivo accesso alla memoria, quindi riducendolo potrete aumentare la velocità dell'accesso.
Una regola pratica per questo valore è: Active Precharge Delay = CAS-Latency + RAS Precharge Delay + 2 (aggiungendo un margine di sicurezza). Con gli altri valori sperimentali, riducete questo numero di un ciclo di clock alla volta per determinate se funzionano valori più veloci, come spesso accade in questo caso. Appena appaiono problemi di stabilità, aumentate questi valori di uno per escludere problemi di stabilità.