Intel sta esibendo, nel corso dell'IDF, i nuovi moduli di memoria DDR3 2-rank da 16 Gigabyte di Hynix. Questi moduli di memoria registered dual in-line sono resi possibili dalla tecnologia DDR3 MetaSDRAM della società MetaRAM, che permette di usare quantitativi di memoria fino a 4 volte più grandi rispetto alla tecnologia attualmente in commercio.
MetaRAM è stata fondata nel gennaio 2006 dal precedente Chief Technical Officer di AMD, Fred Weber. Fino all'inizio di quest'anno non si era fatta sentire, poi ha lanciato una speciale RDIMM DDR2 da 8GB. La tecnologia usata garantisce l'aumento della capacità in termini di gigabyte senza ridurre la frequenza del canale di memoria DDR3; siccome si basa su DRAM commerciali, ha anche costi accettabili.
Si tratta di una soluzione drop-in, ovvero usa l'alimentazione standard DIMM e lo stesso thermal envelope. Usando tre di questi moduli è possibile assemblare un sistema con 48 GB di memoria, evitando il costo di soluzioni personalizzate, finora richieste per raggiungere questi obiettivi. C'è inoltre da considerare, rispetto a queste ultime soluzioni, un risparmio energetico dovuto al minor numero di moduli da usare a parità di capacità totale di memoria.
La tecnologia di MetaRAM funziona impilando e ammassando un numero di chip DRAM fino a quattro volte superiore al normale nel modulo. Per fare in modo che questo funzioni, serve una logica, fornita da uno speciale chipset inserito nello stesso modulo. Il chipset di MetaRAM lavora in maniera trasparente rispetto al controller di memoria, che vede il tutto come una normale DRAM. Il compito del chipset è quindi di instradare letture e scritture in maniera appropriata tra le DRAM e il controller di memoria, permettendo allo stesso di far lavorare i moduli a frequenza standard. Per garantire il risparmio energetico, c'è anche una modalità ecologica che mette a dormire i moduli inutilizzati.