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Memorie

Samsung Flashbolt, memoria HBM2E ad altissima velocità

La HBM2E "Flashbolt" di Samsung offre una velocità di 3,2 Gbps e 16 Gbit per die. Un singolo package raggiunge 410 GBps di bandwidth e 16 GB di memoria.

Samsung Electronics ha annunciato HBM2E, nuova versione della High Bandwidth Memory di seconda generazione, pensata per aumentare le prestazioni DRAM per l’uso in supercomputer di prossima generazione, soluzioni grafiche e intelligenza artificiale. Il nome in codice della HBM2E è “Flashbolt” e differisce da “Aquabolt”, usato per la HBM2 precedente. Questo cambiamento sottintende ovviamente delle differenze, con il passaggio da una velocità di trasferimento dati per pin di 2,4 Gbps a 3,2 Gbps, il 33% in più.

Flashbolt è una memoria anche più densa, 16 Gbit per die, contro 8 Gbit. Questi miglioramenti permettono a un singolo package di HBM2E di offrire fino a 410 GB al secondo (GBps) di bandwidth e 16 GB di memoria (anziché 8 GB).

“Le prestazioni al vertice del settore di Flashbolt consentiranno di offrire soluzioni avanzate per datacenter di prossima generazione, intelligenza artificiale, apprendimento automatico e applicazioni grafiche”, ha dichiarato Jinman Han, vicepresidente senior del Memory Product Planning e Application Engineering Team di Samsung Electronics. “Continueremo ad espandere la nostra offerta DRAM di fascia premium e miglioreremo il nostro segmento di memoria ad alte prestazioni, alta capacità e basso consumo per soddisfare la domanda del mercato”.

Ricordiamo che la JEDEC Solid State Technology Association ha aggiornato recentemente lo standard relativo alla memoria HBM2 per “supportare densità fino a 24 GB per dispositivo con velocità fino a 307 GB/s. Questa larghezza di banda è fornita su un’interfaccia a 1024 bit che è stata divisa in otto canali indipendenti per ogni stack DRAM”.

“L’aggiornamento estende inoltre il bandwidth per pin a 2,4 Gbps e consente di creare soluzioni di memoria con layer da 16 Gb e configurazioni 12-high”. Al tempo scrivevamo che poiché “solitamente a una GPU vengono collegati più package, in futuro potremmo vedere soluzioni con un massimo di 96 GB di memoria (e un bandwidth sempre di 1,2 TB/s)”.

Samsung sembra quindi essersi spinta già oltre, senza però introdurre il termine HBM3, almeno al momento. Ricordiamo che la High Bandwidth Memory è una soluzione molto interessante, in quanto è vicina ai chip di calcolo risiedendo sullo stesso interposer. Questo permette di creare prodotti più compatti, veloci ed efficienti. Un punto negativo? Il costo, ben più alto di soluzioni concorrenti come le GDDR6. In ambito consumer l’abbiamo vista a bordo di diverse schede video di fascia alta di AMD, ultima in ordine di tempo la Radeon VII. Nvidia invece la impiega solo per le schede acceleratrici Tesla, con l’eccezione della Quadro GV100.