La sudcoreana SK Hynix ha annunciato di aver messo a punto la propria versione di HBM2E, dopo che Samsung fece la stessa cosa lo scorso marzo con “FlashBolt”.
Si tratta di una memoria che rispetto alla HBM2, DRAM polivalente che negli anni passati abbiamo visto anche a bordo delle schede video, aumenta il bandwidth all’incirca del 50% e la capacità del 100%.
La HBM2E di SK Hynix supporta un bandwidth di oltre 460 GB (Gigabyte) al secondo grazie una velocità di 3,6 Gbps per pin con 1024 data I/O (Input/Output).
Mediante l’uso della tecnologia TSV (Through Silicon Via), un massimo di otto chip da 16 gigabit impilati verticalmente riescono a formare un denso package con una capacità di archiviazione da 16 GB.
Secondo il produttore sudcoreano la nuova memoria è ideale per “la quarta era industriale”, in quanto supporta GPU di fascia alta, supercomputer, machine learning e sistemi di intelligenza artificiale che richiedono un elevatissimo livello prestazionale da parte della memoria.
Questo è possibile grazie al fatto che i chip HBM sono collegati molto vicino a chip come come la GPU, il che riduce le distanze di comunicazione consentendo un trasferimento dei dati più veloce.
“SK Hynix ha ottenuto la leadership tecnologia dal debutto della sua prima HBM nel 2013”, ha affermato Jun-Hyun Chun, a capo della HBM Business Strategy. "SK Hynix avvierà la produzione in volumi nel 2020, quando il mercato della HBM2E dovrebbe aprirsi e continuerà a rafforzare la propria posizione nel mercato premium delle DRAM”.
