Il primo chip Samsung 3nm GAA trovato in un dispositivo inaspettato

Samsung realizza minuscoli chip sui suoi nodi gate-all-around da 3 nm

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a cura di Valerio Porcu

Senior Editor

Samsung ha ufficialmente avviato la produzione in grandi volumi di chip sulla sua tecnologia SF3E GAA (3nm, gate-all-around) circa un anno fa, ma finora non sapevamo di un uso reale di questi chip. Ora invece emerge che il Whatsminer M56S++ di MicroBT, un dispositivo specifico per il mining di cryptovalute (ASIC), usa la nuova tecnologia Samsung.

Gli ASIC utilizzati per il mining di criptovalute tendono a essere dispositivi di piccole dimensioni con un numero di transistor relativamente basso, con strutture logiche ripetute simili e un numero minimo di celle di bit SRAM.

Non sappiamo molto dell'ASIC Whatsminer M56S++, tranne che la macchina da mining di MicroBT basata su questo chip ha un hashrate di 240-256 Th/s e un'efficienza energetica di 22J/T. TechInsights tuttavia vende documentazione specifica, per chi fosse interessato.

I nuovi chip Samsung per il momento non hanno altre applicazioni, ma la situazione dovrebbe cambiare presto.

"Stiamo producendo in massa il processo di prima generazione 3-nano con rendimenti stabili e, sulla base di questa esperienza, stiamo sviluppando il processo di seconda generazione per garantire capacità di produzione di massa ancora maggiori", si legge in una dichiarazione di Samsung.

Rispetto alla tecnologia Samsung di seconda generazione a 5 nm (SF5, 5LPP), SF3E (alias 3GAE) promette di ridurre il consumo energetico fino al 45% mantenendo la stessa complessità e frequenza, oppure di migliorare le prestazioni del 23% con un numero di transistor e clock simili. Inoltre, può anche ridurre l'area occupata da un circuito integrato (IC) del 16%.