Le memorie phase change sono pronte a invadere gli smartphone. Samsung ha annunciato che nel corso del trimestre presenterà sul mercato memorie PRAM con densità di 512 Mb. I vantaggi rispetto alle attuali Flash NOR sono molteplici e vanno dalle prestazioni di archiviazione (tre volte superiori) a al supporto di più cicli di scrittura (maggiore longevità delle celle di memoria). Le nuove memorie potrebbero allungare anche l'autonomia dei prodotti grazie a consumi inferiori.
PRAM Multi-Chip da 512 Megabit
Il cammino delle memorie PRAM è lungo, ma nel settembre 2009 c'è stata la svolta: Samsung ha iniziato la produzione pilota con il processo produttivo a 60 nanometri (Samsung PRAM, autonomia al galoppo per i cellulari). Appurata la maturità del prodotto in sede di produzione, l'azienda ha deciso di passare ai 40 nanometri, processo con il quale saranno prodotti i chip nei prossimi mesi.
