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Chip a 32 e 28 nanometri come al supermercato

ARM, IBM, Samsung Electronics, GlobalFoundries e Synopsys puntano a una rapida diffusione dei chip a 32 e 28 nanometri e per questo sono pronte a guidare i propri clienti dalla progettazione alla produzione.

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Avatar di Manolo De Agostini

a cura di Manolo De Agostini

@Tom's Hardware Italia

Pubblicato il 17/06/2010 alle 08:52 - Aggiornato il 15/03/2015 alle 01:20
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ARM, IBM, Samsung Electronics, GlobalFoundries e Synopsys hanno costituito un consorzio che avrà il compito di fornire ai progettisti di chip l'accesso alle ultime tecnologie produttive a 32  e 28 nanometri senza dover compiere investimenti miliardari in impianti di fabbricazione.

"Molti vogliono accedere ai processi produttivi a 32 e 28 nanometri, ma è molto difficile farlo da soli", ha dichiarato Ian Drew, vicepresidente marketing di ARM."

La santa alleanza tra queste cinque aziende non fa altro che "pilotare" i clienti lungo tutto il processo di creazione di un chip, velocizzandolo e assicurando la produzione. ARM può licenziare l'architettura e le proprietà intellettuali. Synopsys può fornire strumenti e idee per la progettazione. Infine le aziende possono accedere al processo produttivo high-k metal gate a 32 o 28 nanometri di IBM, Samsung e Globalfoundries. 

Samsung offre già la possibilità di produrre chip a low-power HKMG a 32 nanometri, mentre sarà pronta con i 28 nanometri insieme a GlobalFoundries nel primo trimestre 2011.

"La piattaforma permette ai progettisti di scegliere tra diversi metodi di progettazione approvati, fornitori di proprietà intellettuali e tecniche. Il consorzio garantisce che il design può essere costruito da ogni produttore coinvolto. Questa capacità dà ai designer la sicurezza di avere più fonti in grado di realizzare il chip".

Il consorzio al momento ha realizzato 10 chip di test a 32 e 28 nanometri, inclusi design basati sull'architettura ARM Cortex.  "Il processo a 32 nanometri è in grado di assicurare un miglioramento delle prestazioni del 20 percento, una riduzione del consumo dinamico del 30 percento e un calo della dispersione di corrente del 55 percento rispetto ai 45 nanometri".

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