I ricercatori dell'Università della Carolina del Nord hanno inventato una memoria rivoluzionaria. Si tratta di una soluzione che combina la velocità della memoria DRAM con la densità e la capacità di mantenere i dati - senza energia - tipica delle soluzioni Flash.
Questo dispositivo "universale" può quindi operare come soluzione volatile e non-volatile, e può essere usato come memoria principale del sistema. La nuova tecnologia di memoria usa transistor a effetto di campo con doppio floating-gate. "Le memorie basate su questa nuova struttura dovrebbero essere veloci quanto la DRAM ma la loro densità sarà all'incirca la stessa della Flash", ha dichiarato il professore Paul Franzon.
"Il nostro dispositivo è chiamato double floating-gate field effect transistor. La memoria non-volatile esistente usata nei dispositivi di archiviazione dei dati adotta un singolo floating gate, in cui è immagazzinata la carica per rappresentare nel dispositivo l'uno o lo zero - o un bit di informazione. Usando due floating gate, il dispositivo può archiviare un bit in modalità non-volatile e/o un bit in una modalità volatile, come la memoria principale del vostro computer", ha aggiunto Franzon.
"I computer che adottano questa soluzione possono operare normalmente fino a quando entrano in modalità idle, momento in cui i valori dei loro dati possono essere trasferiti a un secondo gate, in modo da spegnere il chip di memoria. In seguito, quando il computer deve nuovamente accedere ai valori immagazzinati, il secondo gate trasferisce rapidamente la carica archiviata al primo gate e l'operatività può riprendere normalmente", riporta il sito EETimes.
"Crediamo che il nostro nuovo dispositivo di memoria consentirà un computing proporzionale all'energia, consentendo alla memoria di spegnersi durante i periodi di uso ridotto senza ridurre le prestazioni", ha dichiarato Franzon. Per esempio le server farm web, come quelle usate da Google, consumano molta energia, persino quando l'attività degli utenti è minima. Questo succede in parte perché le server farm non possono togliere l'energia senza avere ripercussioni sulla loro memoria principale.
Finora i ricercatori hanno realizzato solo le strutture di gate con il nuovo design e attualmente stanno facendo dei test per assicurarsi che il processo di archiviazione e recupero dei dati non sia logorante per le prestazioni come avviene per esempio durante i cicli di lettura e scrittura della memoria Flash.
Se la struttura passerà indenne il ciclo di test, i ricercatori potranno concentrarsi sulla fabbricazione di memoria a semiconduttore basate su questa tecnologia. I ricercatori sperano di poterlo fare già dall'anno prossimo.
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