Elpida Memory e United Microelectronics Company (UMC) hanno annunciato l'inizio di un programma di sviluppo congiunto per migliorare la produzione delle memorie DRAM con tecnologia "copper low-k", e lo sviluppo di memorie phase-change random access (PRAM).
"Questo accordo con UMC è un passo in avanti importante per lo sviluppo delle memorie future. La tecnologia copper low-k permetterà la produzione di DRAM dalle prestazioni sempre più elevate, con consumi contenuti e un'elevata densità. Il lavoro congiunto permetterà di ridurre i tempi di commercializzazione delle PRAM, un'importante tecnologia di memoria di prossima generazione", ha affermato Takao Adachi, chief technology officer (CTO) di Elpida.
La tecnologia PRAM è un'alternativa alle memorie NOR flash, e si basa su due aspetti che la rendono molto interessante: integra la velocità delle memorie DRAM abbinata alle caratteristiche d'immagazzinamento dei dati delle memorie flash in assenza di corrente.