Ecco il cannone a Ioni
Gli ioni alterano le proprietà del silicio.
Il processo chiamato "ion implantation" consiste nel bombardare di ioni le parti esposte del wafer. In questo modo gli ioni sono impiantati nel silicio, alterandone le proprietà elettriche. Gli ioni sono "sparati" a velocità elevatissime, più di 300.000 Km/h, grazie alla spinta di un campo elettrico.
Gli ioni permettono di controllare e regolare le proprietà del silicio.
Dopo il bombardamento di ioni si rimuove il materiale fotoresistente, e il materiale esposto (verde) ora contiene dei nuovi atomi.