Memorie

Samsung, 12 GB di memoria LPDDR4X per i futuri smartphone top di gamma

Samsung Electronics ha annunciato l’avvio della produzione in volumi di memoria LPDDR4X con capacità di 12 GB e uno spessore di soli 1,1 millimetri. La “low-power double data rate 4X” è pensata per i futuri smartphone di fascia alta, in combinazione a uno storage UFS 3.0 da 512 GB, ma non è escluso un uso in altri ambiti come quello dei portatili. I 12 GB di capacità sono stati ottenuti combinando sei chip LPDDR4X da 16 gigabit in un singolo package.

Non si tratta della prima memoria RAM di Samsung da 12 GB dedicata agli smartphone. Un quantitativo simile lo ritroviamo già nella limited edition Ceramic del Galaxy S10+. In quel caso però Samsung si avvale di memoria LPDDR4 e non di LPDDR4X.

La differenza tra le due riguarda il processo produttivo, nella classe dei 20 nanometri per la LPDDR4, mentre la nuova LPDDR4X è realizzata con un processo nella classe dei 10 nanometri di seconda generazione (1y-nm), il che le permette di contenere le dimensioni in modo da “offrire più spazio per la batteria dello smartphone”.

Date Capacità Mobile DRAM
Febbraio 2019 12GB 1y-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s
Luglio 2018 8GB 1y-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s
Aprile 2018 8GB (sviluppo) 1x-nm 8Gb LPDDR5, 6400Mb/s
Settembre 2016 8GB 1x-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s
Agosto 2015 6GB 20nm (2z) 12Gb LPDDR4, 4266Mb/s
Dicembe 2014 4GB 20nm (2z) 8Gb LPDDR4, 3200Mb/s
Settembre 2014 3GB 20nm (2z) 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s
Novembre 2013 3GB 2y-nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s
Luglio 2013 3GB 2y-nm 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s
Aprile 2013 2GB 2y-nm 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s
Agosto 2012 2GB 30nm-class 4Gb LPDDR3, 1600Mb/s
2011 1/2GB 30nm-class 4Gb LPDDR2, 1066Mb/s
2010 512MB 40nm-class 2Gb MDDR, 400Mb/s
2009 256MB 50nm-class 1Gb MDDR, 400Mb/s

Il nuovo chip da 12 GB assicura un transfer rate di 34,1 GB al secondo, mentre il nuovo processo minimizza l’inevitabile incremento dei consumi causato dalla maggiore capacità.

Una nuova tappa dunque per l’azienda sudcoreana, che nel 2011 portava sul mercato memoria mobile da 1 GB, per arrivare nel 2015 a 6 GB e nel 2016 a 8 GB. Samsung fa sapere inoltre che nella seconda metà del 2019 intende più che triplicare la produzione della memoria presso la sua linea di Pyeongtaek, realizzando chip anche da 8 GB. L’azienda è comunque già proiettata verso l’uso futuro della LPDDR5.