L’azienda, lo ricordiamo, giustifica l’uso del nome 4D NAND per l’impiego proprio della tecnologia CTF (Charge Trap Flash) insieme alla Periphery Under Cell (PUC), dove il circuito logico del chip è al di sotto delle celle di memoria NAND flash. Si tratta di una soluzione simile a quella usata da altre realtà: due esempi sono la CMOS Under the Array (CuA) di Micron o la Core Over Periphery di Samsung.
La memoria QLC salva quattro bit per cella, favorendo una maggiore densità rispetto alla TLC (Triple Level Cell) che archivia tre bit per cella. La memoria QLC consente quindi di creare prodotti più capienti mantenendo i costi ridotti.
“Usando piani di piccole dimensioni, abbiamo adottato un’architettura a quattro piani. Abbiamo aumentato il numero di piani in un singolo chip da due a quattro, raddoppiando il bandwidth dei dati da 32 (kilobyte) a 64 KB. Con questo prodotto ad alte prestazioni che può processare fino a 64 KB di dati simultaneamente, garantiamo competitività di prezzo e prestazioni”.
Wallace Kou, CEO di Silicon Motion, noto progettista di controller per SSD, si è detto “impressionato dalle prestazioni generali” degli engineering sample di memoria QLC ricevuti. Nel frattempo SK Hynix sta sviluppando il proprio algoritmo software QLC e controller, e ha intenzione di presentare prodotti in tempo per soddisfare la domanda dei clienti.
“Abbiamo in programma il lancio del nostro SSD QLC a partire dal prossimo anno quando la domanda per la NAND QLC enterprise dovrebbe diventare significativa. In particolare vogliamo ritagliarci una solida posizione nel mercato degli eSSD ad alta densità, che sta rimpiazzando gli hard disk con soluzioni NAND flash con una capacità di 16 TB o superiore”.
Secondo l'azienda di analisi IDC la memoria QLC passerà da una quota attuale del 3% nel mercato NAND Flash al 22% nel 2023. Il settore degli SSD enterprise crescerà annualmente di una media del 47,9%, andando a sostituire gli hard disk.
