Micron ha annunciato di aver iniziato la distribuzione dei primi sample di Hybrid Memory Cube (HMC) da 2 GB (quattro die DRAM da 4 Gb impilati l'uno sull'altro). A molti questo nome apparirà "strano", ma se ne parla già da diversi anni. Si tratta di una soluzione di memoria sviluppata dall'azienda statunitense che dovrebbe offrire prestazioni notevolmente superiori rispetto alle DRAM attuali e future, come le DDR4.
La tecnologia HMC contempla un layer logico con una "pila" di chip di memoria connessi verticalmente attraverso la tecnica through silicon via (TSV). Secondo Micron il numero di contatti così come le brevi distanze tra i punti permettono velocità di trasferimento dati notevolmente più elevate rispetto a oggi. L'azienda, e qui sta la novità, ha realizzato un prototipo che raggiunge i 128 GB/s, anche se non si escludono picchi persino di 160 GB/s.
I chip di Micron sono inoltre in grado di gestire fino a 3,2 miliardi di richieste a 32 bit al secondo. L'azienda ritiene che HMC possa arrivare a fornire un bandwidth 20 volte superiore a quello di un modulo DDR3, consumando solamente il "10 percento dell'energia per bit richiesto dalle DDR3". Inoltre "l'architettura verticale richiede il 90 percento di spazio in meno rispetto alle attuali RDIMM (Registered DIMM)".
Al momento i primi sample sono indirizzati al mondo "HPC", cioè a quello dove i server - o meglio supercomputer - necessitano di memorie dalle prestazioni elevatissime e dai bassissimi consumi. Micron pensa che le future generazioni di memoria HMC metteranno piede nel settore consumer entro 3/5 anni.
Per il momento noi comuni mortali dovremo attendere, anche se la roadmap dell'azienda fissa già tappe ben precise: i primi sample da 4 GB di HMC saranno pronti a inizio 2014, mentre la produzione in volumi di soluzioni da 2 GB e 4 GB inizierà più tardi, ma sempre nel corso del prossimo anno.