Samsung ha ufficializzato l'avvio della produzione di massa di SoC (system on chip) con processo produttivo a 14 nanometri FinFET. L'azienda sudcoreana ha confermato le incessanti indiscrezioni delle scorse settimane, secondo cui era ormai pronta a realizzare una gamma di prodotti Exynos 7 Octa.
Samsung, nella sua nota stampa, non cita mai il Galaxy S6 (sarà presentato il primo marzo) né l'Exynos 7420, probabile nome del chip che dovrebbe essere a bordo del nuovo top di gamma, ma è chiaro che l'annuncio in questo momento lascia pochi dubbi su quale sarà il cuore dello smartphone, anche grazie a un'indiretta (ma significativa) conferma di Qualcomm.
Stando all'azienda sudcoreana, il processo produttivo a 14 nanometri FinFET permetterà di raggiungere nuovi livelli di efficienza, prestazioni e produttività. Rispetto ai 20 nanometri usati da Samsung per realizzare i SoC precedenti, l'azienda riuscirà a sfornare chip fino al 20% più veloci, il 35% più parsimoniosi e il 30% più potenti.
 | Samsung Galaxy Note 4 da 32 GB | |
 | Samsung Galaxy S5 da 16 GB |
"Integrando con successo una struttura FinFET (3D) sui transistor, Samsung ha superato le limitazioni prestazionali e di scaling della struttura planare usata nei precedenti 20 nanometri e processi precedenti ottenendo un miglioramento competitivo rilevante sui semiconduttori avanzati per l'industria mobile", ha affermato l'azienda.
Samsung parla di uno sforzo in ricerca e sviluppo sulla tecnologia FinFET che ha radici agli inizi degli anni 2000 e afferma di aver depositato alcuni brevetti chiave nel settore. Sui progressi dell'azienda però aleggia un'ombra, legata al "presunto" furto di proprietà intellettuali nei confronti TSMC perpetrato da un ex dipendente della fonderia taiwanese.
Oltre al chip del Galaxy S6 e altri smartphone della propria gamma, Samsung userà il processo a 14 nanometri per produrre i chip per i propri clienti. Tra questi Apple, che dovrebbe rivolgersi alla rivale per realizzare il chip A9 dei prossimi iPhone.