Samsung ha realizzato una piccola memoria per smartphone

Samsung ha avviato la produzione di memoria eMMC da 64 GB ad alte prestazioni, realizzata usando un processo produttivo nella classe dei 10 nanometri. Questo chip permetterà a smartphone e tablet di avere 64 GB di capacità, occupando meno spazio e verosimilmente consumando meno.

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a cura di Manolo De Agostini

Samsung ha realizzato una memoria eMMC (embedded multimedia card) da 64 GB usando un processo produttivo che rientra nella classe dei 10 nanometri, cioè tra 10 e 19 nanometri. Al momento non sappiamo con precisione quale il processo litografico sia stato usato, ma Samsung parla di dimensioni della nuova memoria di 11,5 x 13 mm, il 20 percento in meno rispetto a quelle tradizionali (12 x 16mm).

La nuova memoria eMMC, indirizzata a prodotti come smartphone e tablet, è entrata in produzione il mese scorso. Questa notizia in qualche modo ci sorprende, dato che il colosso sudcoreano solo pochi mesi fa aveva annunciato altri importanti traguardi.

Ad agosto, per esempio, Samsung aveva avviato la produzione a 20 nanometri di memoria eMMC Pro Class 1500 da 16, 32 e 64 GB con prestazioni quattro volte maggiori rispetto alle precedenti soluzioni. A settembre, l'azienda ha invece avviato la produzione di massa di una eMCC da 128 GB (20 nanometri), capace di raggiungere una velocità di trasferimento dati di 140 MB/s e perfettamente compatibile con le specifiche JEDEC eMMC v4.5.

Il nuovo passo avanti denota quanto Samsung stia diventando un punto di riferimento assoluto nella produzione di componenti - per sé e altri - dedicati al settore mobile. La nuova eMMC da 64GB è classificata come una soluzione Pro Class 2000. "La nuova memoria ad alta velocità sarà sottoposta il prossimo anno alla JEDEC per divenire uno standard industriale", ha sottolineato Samsung.

Tutto questo significa che la memoria in questione è in grado di offrire il 30 percento di prestazioni in più rispetto a una soluzione eMMC Pro Class 1500 su interfaccia eMMC 4.5. Si parla nello specifico di una velocità in scrittura casuale di 2000 IOPS (input/output al secondo) e di prestazioni in lettura casuale di 5000 IOPS.

Per quanto riguarda i dati sequenziali, Samsung cita 260 MB/s e 50 MB/s rispettivamente per letture e scritture. "Questi valori sono fino a 10 volte più alti rispetto a una memoria esterna class 10 che legge a 24 MB/s e scrive a 12 MB/s", ha rilevato l'azienda sudcoreana. Nessun accenno invece ai consumi, ma ci auguriamo siano più bassi in virtù del nuovo processo produttivo.