SK Hynix ha annunciato di aver realizzato la prima LPDDR3 (Low Power DDR3) da 8 gigabit al mondo usando un processo produttivo nella classe dei 20 nanometri. Dedicati ai prodotti mobile, dai tablet ai notebook, questi nuovi chip "possono essere impilati", sottolinea SK Hynix, per offrire in un unico package 4 GB di memoria.
L'azienda afferma che l'altezza del package dei nuovi chip da 8 gigabit (pari a 1 GB) è decisamente inferiore rispetto alle soluzioni esistenti da 4 gigabit e questo facilita configurazioni più complesse. SK Hynix indica inoltre una velocità di 2133 Mbps, che supera i 1600 Mbps delle LPDDR3 attuali e permette di "processare fino a 8,5 GB di dati al secondo in modalità single channel e 17 GB in quella dual channel".
Oltre alla velocità le nuove LPDDR3 di SK Hynix puntano anche sui bassi consumi, grazie a una tensione di 1,2 volt. "Mentre le nuove LPDDR3 operano due volte più rapidamente delle LPDDR2, i consumi in standby scendono di oltre il 10%", sottolinea l'azienda sudcoreana.
Le nuove memorie possono essere offerte in vari formati, dal PoP (Package on Package) al singolo package con eMMC (embedded Multi Media Card). I sample di questa memoria sono già in distribuzione ai clienti di SK Hynix e la produzione di massa sarà avviata per la fine dell'anno.