Resistive RAM, 1 terabyte di memoria in un francobollo

La startup Crossbar ha sviluppato una Resistive RAM capace di offrire fino a un terabyte di spazio in pochissimo spazio. La produzione di massa non è lontana.

Avatar di Manolo De Agostini

a cura di Manolo De Agostini

Si chiama RRAM, ovvero Resistive RAM, ed è l'ultima novità in fatto di memorie non volatili ad alte prestazioni e capacità. A svilupparla una startup californiana chiamata Crossbar fondata nel 2010, che nasce con un obiettivo ambizioso: archiviare fino a un 1 terabyte di dati in un singolo chip da 200 millimetri quadrati, ovvero circa 250 ore di filmati in alta definizione nelle dimensioni di un francobollo.

L'aspetto davvero interessante è che al contrario di tanti progetti sulla carta, la soluzione di Crossbar corre veloce verso la produzione, dato che è stata sviluppata una soluzione completa composta da un controller monolitico completamente integrato con memoria a corredo, preludio della prima fase di commercializzazione.

La tecnologia di questa startup guidata da George Minassian (ex AMD) si basa su una struttura a tre strati (layer) così composta: un elettrodo non metallico nella parte bassa, un switch di silicio amorfo nella parte centrale, e un elettrodo metallico in quella superiore.

La resistenza del meccanismo di commutazione è basata sulla formazione di un filamento nel materiale di switching nel momento in cui viene applicata tra i due elettrodi una tensione. Grazie a questa struttura della cella di memoria, semplice e scalabile, e attraverso un processo di stacking 3D, cioè la sovrapposizione di più strati l'uno sull'altro, punta a offrire moltissima capacità per archiviare le informazioni.

La compatibilità con la tecnologia CMOS (complementary metal-oxide semiconductor) permette alla logica e alla memoria di essere integrate in un unico chip usando i processi di produzione comuni e più avanzati, e questo rappresenta un punto a favore di Crossbar.

Da non sottovalutare inoltre come questa tecnologia sia carica di promesse anche sul fronte delle prestazioni e dei consumi: scritture 20 volte più veloci, consumi 20 volte inferiori e una resistenza 10 volte maggiore rispetto alle NAND Flash migliori oggi sul mercato. L'obiettivo è quindi quello di sostituire la memoria NAND che caratterizza ormai ogni dispositivo elettronico portatile, come smartphone e tablet, ma non solo.

Crossbar guarda anche al mercato delle memorie NOR e ha intenzione di concedere in licenza la propria tecnologia a chi progetta system on a chip (SoC) per l'integrazione in soluzioni di prossima generazione. A ogni modo la startup californiana non è l'unica a lavorare sulle "memorie resistive": Elpida ha realizzato un prototipo lo scorso anno e anche SK Hynix, che però indica il 2015 come data di commercializzazione.