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WD e SanDisk offrono hard disk ibridi ultrasottili

WD, azienda di Western Digital, e SanDisk, hanno annunciato una collaborazione tra le due aziende, finalizzata alla creazione di nuovi dispositivi storage ibridi caratterizzati dalla tecnologia flash memory di SanDisk e dalla tecnologia hard disk di WD.

In partiicolare, SanDisk fornisce un dispositivo storage SanDisk iSSD per il disco allo stato solido (SSHD) WD Black, la soluzione SSHD da 2,5 pollici di WD, che utilizza sia la tecnologia ibrida proprietaria di WD che la tecnologia standard IO del settore, SATA.

La soluzione SanDisk iSSD apporta a questo SSHD un mix tra performance, consumi energetici contenuti, costi, affidabilità, e un formato compatto, che permetterà di disporre, ha evidenziato WD, della grande capacità necessaria per rispondere alle esigenze crescenti di storage per i contenuti digitali, assieme alla velocità della tecnologia flash, oltre che in termini di throughput dei dati e tempi di risposta.

La soluzione WD – SanDisk

Dentro il prodotto

I dischi ibridi allo stato solido (SSHD) WD Black utilizzano la tecnologia ibrida WD, che abbina la tecnologia flash memory di SanDisk con gli hard drive ad alta capacità di WD. Questa combinazione è stata ideata con l'obiettivo di migliorare sensibilmente l’esperienza dell’utente Pc, permettendo di ottenere sia un’elevata capacità che migliori livelli di performance rispetto agli hard disk tradizionali, con una velocità superiore, la capacità di accendersi all’istante ed un avvio più veloce delle applicazioni.

Gli SSHD WD Black sono progettati per consentire l’integrazione con i notebook più sottili del mercato. Lo SSHD WD Black da 5 mm ha una capacità di 500GB, a fronte di un volume quasi del 50 per cento inferiore rispetto agli attuali dischi standard per notebook (che sono spessi all’incirca 9,5 mm).

Il ridotto spessore del disco ibrido allo stato solido si complementa con il formato contenuto del dispositivo SanDisk iSSD, costruito utilizzando tecnologia di processo a 19 nanometri (nm), il processo costruttivo più avanzato per quanto riguarda i semiconduttori.