I ricercatori di AMD e IBM hanno raggiunto un nuovo traguardo nello sviluppo di tecnologie per la produzione di chip, che permetterà la realizzazione di semiconduttori con struttura a 16 nm o persino più piccola.
Secondo l'annuncio, AMD e IBM hanno avuto successo nella produzione a 45 nanometri utilizzando la litografica Extreme Ultra-Violet (EUV) su un'area 22 x 33 mm. Il chip è stato creato utilizzando la tecnologia a 193 nm Deep Ultraviolet (DUV) nella Fab 36 di AMD a Dresda, uno scanner litografico 13.5 nm ASML EUV installato presso l'IBM Research Facility del College of Nanoscale Science and Engineering (CNSE) di Albany, e New York ha permesso la modellazione del primo strato d'interconnessioni metalliche tra i transistor costruiti in Germania. Secondo AMD, i transistor del chip di prova hanno mostrato "caratteristiche molto coerenti con quelle dei chip di prova costruiti con la litografia a immersione 193 nm".
La litografia EUV è la tecnica di produzione su cui i big dell'industria puntano da diverso tempo. Nel 1997 Intel, Motorola e AMD hanno dato vita all'EUV Limited Liability Corporation per sviluppare un processo ultravioletto estremo per rimpiazzare la tecnologia Deep ultraviolet al livello di produzione a 100 nm. Tuttavia, la tecnologia Deep ultraviolet (DUV) ha compiuto diversi passi in avanti nella decade scorsa e oggi siamo giunti alla produzione di massa a 45 nm e si presume che si possa giungere almeno a 22 nm.
Presto o tardi però la litografia DUX lascerà spazio all'EUV, per lo sviluppo di chio a 16 nm verosimilmente nel 2013.
AMD ha affermato che il prossimo passo da eseguire nella litografia EUV richiederà l'applicazione della litografia non solo per le interconnessioni metalliche, ma per tutti gli strati necessari alla realizzazione di un intero microprocessore.