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Samsung Electronics ha messo a punto la memoria V-NAND flash di quarta generazione. Si tratta di memoria di tipo TLC (triple level cell) che vedremo a bordo degli SSD futuri e non solo. La nuova memoria impila 64 strati di celle, circa il 30% in più rispetto alla soluzione di precedente generazione.
In questo modo Samsung è riuscita a portare la densità del singolo die a 512 Gbit, garantendo l'elevata velocità di input/output di 800 Mbps. L'uso della memoria V-NAND, con strati di celle impilati in verticale al fine di garantire più densità, maggiori prestazioni e minori consumi, è iniziato nel 2013: da allora abbiamo visto l'arrivo di prodotti con 24, 32 e 48 layer.
I primi prodotti basati su V-NAND di quarta generazione arriveranno nel quarto trimestre di quest'anno. Successivamente farà il suo debutto un SSD con interfaccia SAS e una capacità di 32 terabyte. Il prodotto raggiunge tale capacità grazie a 32 package da 1 terabyte, ottenuti con 512 chip di memoria a 512 Gbit impilati in 16 layer.
"L'SSD SAS da 32 TB può ridurre i requisiti di spazio fino a 40 volte rispetto allo stesso tipo di sistema basato su due rack di hard disk", sottolinea l'azienda sudcoreana. L'SSD da 32 terabyte sarà disponibile in formato da 2,5 pollici e sarà prodotto nel 2017. Samsung si aspetta inoltre che entro il 2020 saranno disponibili SSD da oltre 100 TB grazie al continuo sviluppo della memoria V-NAND.
Un'altra novità che l'azienda ha annunciato al Flash Memory Summit 2016 è un SSD di tipo BGA con una capacità da 1 TB: si tratta di un SSD saldabile alla motherboard, dotato di tutti i componenti essenziali tra cui la memoria V-NAND TLC, la DRAM di tipo LPDDR4 e un controller proprietario.
Questa soluzione garantisce prestazioni in lettura sequenziale di 1500 MB/s e in scrittura sequenziale di 900 MB/s. Grazie alla riduzione delle dimensioni fino al 50% rispetto alla soluzione precedente l'SSD pesa circa 1 grammo, aspetto che lo rende ideale per i notebook ultracompatti, i tablet e i 2 in 1. Questo prodotto arriverà sul mercato il prossimo anno, adottando una tecnologia di packaging ad alta densità chiamata "FO-PLP (Fan-out Panel Level Packaging)" che Samsung Electronics ha sviluppato con Samsung Electro-Mechanics.
Infine l'azienda asiatica ha creato un SSD ad alte prestazioni e bassissima latenza chiamato Z-SSD. Secondo i tecnici si frappone tra SSD e DRAM, con prestazioni più vicine a quest'ultima tecnologia.
A bordo di questo prodotto troviamo memoria V-NAND, un controller e un progetto dei circuiti ottimizzato per ottenere le massime prestazioni, garantendo una latenza quattro volte migliore e una lettura sequenziale 1,6 volte superiore all'SSD PM963 NVMe.
Questo prodotto si rivolge a sistemi che devono operare su una mole di dati elevatissima in tempo reale. Può essere usato come cache o soluzione di archiviazione temporanea nei datacenter. Anche questo prodotto è atteso l'anno prossimo, con una capacità di 1 terabyte e interfaccia PCIe.
Samsung sta anche lavorando con altre aziende per mettere a punto un nuovo formato di archiviazione per i server che dovrebbe essere una versione più grande dell'attuale M.2. Se un SSD M.2 è infatti ampio 22 millimetri e lungo 80 mm, l'M.2 per server arriverà rispettivamente a 32 e 114 mm.
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