Al Symposium on VLSI Technology di Kyoto, Giappone, Globalfoundries ha illustrato una nuova tecnologia che potrebbe superare uno degli ostacoli al miglioramento dei transistor high-k metal gate (HKMG) e che potrebbe avere una buona ripercussione sui consumi e la potenza dei dispositivi mobile futuri.
GlobalFoundries ha dimostrato una tecnica che permette all'EOT (all'equivalent oxide thickness) nei transistor HKMG di scalare ben oltre il livello richiesto dal processo produttivo a 22 nm, mantenendo al tempo stesso una combinazione di bassa dispersione, bassa tensione di soglia e mobilità della carica superiore. La nuova ricerca è stata condotta insieme a IBM, nel tentativo di trovare nuove strade per realizzare componenti con processi produttivi sempre inferiori.
"HKMG è un componente critico della roadmap tecnologica di GlobalFoundries. Questo sviluppo potrebbe permettere ai clienti di migliorare le prestazioni dei loro prodotti, particolarmente nel mercato dei notebook ultra-mobile e degli smartphone", ha affermato Gregg Bartlett, senior vice president of technology and research and development di Globalfoundries.
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