IBM e Hitachi hanno siglato un accordo di ricerca biennale per studiare le possibilità per raggiungere un'ulteriore riduzione delle dimensioni fisiche dei transistor. L'accordo segna la prima collaborazione di Hitachi e IBM nella tecnologia dei semiconduttori.
La miniaturizzazione dei transistor è un obiettivo perseguito con determinazione nello sviluppo dei dispositivi a 32 e 22 nanometri della prossima generazione. Le dimensioni di dispositivi così minuti sono dell'ordine di miliardesimi di metro e gli effetti su questa scala possono avere un grande impatto sulle caratteristiche dei singoli transistor.
La nuova collaborazione si concentrerà sulla ricerca dei semiconduttori a 32 nm e oltre e utilizzerà nuovi metodi che comprendono le tecnologie più avanzate per analizzare dispositivi e strutture di semiconduttori. L'obiettivo è migliorare la caratterizzazione e la misurazione della variazione dei transistor e favorire una migliore comprensione della fisica dei dispositivi. Gli ingegneri delle due società e della Hitachi High-Technologies, una controllata di Hitachi, condurranno ricerche congiunte presso il Thomas J. Watson Research Center di IBM, con sede a Yorktown Heights, N.Y., e presso il complesso Albany NanoTech del College of Nanoscale Science and Engineering.
"Le capacità d'avanguardia di Hitachi nella caratterizzazione dei semiconduttori e di IBM nella ricerca sul CMOS possono aiutare le due aziende ad accelerare il ritmo dell'innovazione nei semiconduttori per la generazione a 32 nanometri e oltre", spiega Bernie Meyerson, vice president Strategic Alliances e CTO per Systems & Technology Group IBM. "Grazie alla combinazione della ricerca e della proprietà intellettuale delle singole aziende riduciamo i costi significativi associati alla ricerca per far progredire la prossima generazione della tecnologia dei chip".
"La competenza significativa di Hitachi nella strumentazione analitica e nella fisica dei semiconduttori può promuovere una ricerca leader di settore per la tecnologia dei semiconduttori della prossima generazione", spiega Eiji Takeda, Vice President and Executive Officer, General Manager of Research & Development Group, Hitachi, Ltd. "Le nostre due aziende hanno una lunga tradizione di collaborazione di successo e siamo ansiosi di estenderla allo scenario della ricerca sulla metrologia dei semiconduttori".
