Intel e Micron Technology hanno annunciato la produzione del primo dispositivo di memoria flash NAND realizzato con processo inferiore ai 40 nanometri: si tratta di un chip multi-level cell da 32 gigabit (Gb) realizzato a 34 nanometri. La tecnologia produttiva è stata sviluppata da Intel e Micron e sarà prodotta da IM Flash Technologies (IMFT), joint venture delle due aziende nel settore flash NAND.
I chip da 32 Gb e 34 nanometri saranno prodotti su wafer da 300 millimetri. All'interno di un chip da 32 Gb - che occupa un'area di 172mm² - è possibile immagazzinare oltre 2000 foto digitali ad alta risoluzione o fino a 1000 canzoni.
I nuovi chip sono stati realizzati con gli hard disk solid state drive in mente. Queste nuovo traguardo permetterà l'arrivo sul mercato di soluzioni SSD più economiche e capienti in fattori di forma sempre più contenuti. Servendosi del nuovo processo produttivo, Intel e Micron realizzeranno prodotti multi-level cell con densità inferiori, nonchè prodotti single-level cell, entro la fine dell'anno.