Intel inizierà nel corso di quest'anno la costruzione del primo impianto per la produzione di wafer di chip da 450 millimetri. Lo avevamo ipotizzato a margine dei dati trimestrali presentati qualche giorno fa, quando la casa di Santa Clara aveva reso nota la cifra per il 2013 dedicata all'acquisto di asset durevoli, come i macchinari usati per la produzione.
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Gli analisti si attendevano un esborso di 10 miliardi, ma il dato dovrebbe attestarsi tra 12,5 e 13,5 miliardi. Due miliardi di questo grande investimento saranno usati proprio per espandere l'impianto D1X di Hillsboro (Oregon), che guadagnerà un secondo modulo dove, se non ci saranno intoppi, nel 2015 potranno essere collocati i macchinari per la produzione su wafer da 450mm.
Questo passaggio tecnologico dovrebbe permettere un calo dei costi di produzione. Da ogni wafer, infatti, si potranno ottenere più del doppio dei chip ricavati con le soluzioni da 300 millimetri. I produttori di chip che riusciranno per primi a fare il salto dai wafer da 300 mm potrebbero avere un vantaggio competitivo di non poco conto. Tante aziende sono impegnate questo fronte, ma Intel potrebbe fare ancora una volta da precursore, scontentando i mercati nell'immediato ma assicurandosi un futuro ancora da protagonista.
Bob Bruck (a sinistra), vicepresidente del technology manufacturing engineering (TME) di Intel, ha svelato il primo wafer fully patterned da 450mm al SEMI Industry Strategy Symposium insieme a Mario Abravanel - foto: X-bit labs.
Stacy Smith, direttore finanziario di Intel, ha confermato che la costruzione di un nuovo impianto è un processo che in genere richiede due anni. La fabbrica "D1X module 2" avrà la stessa estensione della Fab D1X originale, come mostrato dall'immagine pubblicata dal Portland Business Journal e che vedete sopra. Anche quell'impianto è di fondamentale importanza, perché è il sito in cui Intel procederà entro la fine dell'anno con la produzione a 14 nanometri.
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A riprova dell'impegno verso la produzione con wafer da 450 mm, Intel ha mostrato un primo prototipo "Fully Patterned", cioè già modellato, durante il SEMI Industry Strategy Symposium (ISS) che si è tenuto nei giorni scorsi. L'azienda non ha svelato dettagli o rivelato informazioni precise, salvo che il wafer è stato il frutto dell'intensa collaborazione con diversi partner tra cui Sumco, Dainippon Printing e Molecular Imprints.
"È un importante passo avanti e indica che ci sarà presto un consistente volume di wafer di prova a disposizione dei fornitori per lo sviluppo dei loro macchinari", ha affermato Chuck Mulloy, portavoce di Intel, al sito X-bit labs.