I ricercatori della University College London hanno sviluppato una ReRAM, o Resistive RAM, basata su ossido di silicio e capace di lavorare a temperatura ambiente grazie a una nuova struttura. Continuano così le ricerche che esplorano le potenzialità di una memoria che in futuro potrebbe rimpiazzare le attuali NAND Flash.
Le RAM resistive sono basate sul memristore e realizzate con materiali che spesso sono ossidi di metalli, la cui resistenza elettrica cambia (creando gli stati 0 e 1) all'applicazione della tensione. Questa memoria è poi in grado di ricordare questo cambiamento anche in assenza di energia, il che ne fa una memoria non volatile. Secondo i ricercatori, i chip ReRAM promettono una capacità di archiviazione notevolmente maggiore rispetto alla memoria Flash, pur assicurando un minor consumo energetico e ingombro di spazio.
I ricercatori dell'UCL hanno messo a punto una nuova struttura all'ossido di silicio che può cambiare il valore di resistenza in modo molto più efficiente rispetto a quanto possibile in passato. Nel loro materiale, la disposizione degli atomi di silicio cambia per formare filamenti di silicio all'interno di ossido di silicio solido, che è meno resistivo. La presenza o l'assenza di questi filamenti rappresenta il passaggio da uno stato all'altro.
A differenza di altri chip all'ossido di silicio attualmente in sviluppo, la soluzione approntata dagli studiosi dell'UCL non richiede il vuoto per funzionare e perciò è potenzialmente meno costosa e resistente nel tempo. Il progetto inoltre getta le basi per la realizzazione di chip di memoria trasparenti da usare in touchscreen e dispositivi mobile.
"I nostri chip di memoria ReRAM hanno bisogno solo di un millesimo dell'energia e sono all'incirca cento volte più veloci rispetto ai chip di memoria Flash standard. Il fatto che il dispositivo possa funzionare in condizioni ambientali e con una resistenza che varia in modo continuo apre la porta a una vasta gamma di potenziali applicazioni", ha dichiarato il dottor Tony Kenyon.
La nuova tecnologia ReRAM è stata scoperta accidentalmente, mentre i ricercatori stavano lavorando sull'uso dell'ossido di silicio per produrre LED. Durante la realizzazione gli ingegneri hanno notato che i loro dispositivi apparivano instabili e indagando a fondo hanno scoperto che non erano per niente instabili, ma passava tra stati di conduzione e non conduzione in modo prevedibile. Ricordiamo che nei mesi scorsi Elpida, insieme all'istituzione giapponese pubblica NEDO, ha realizzato un primo prototipo di ReRAM e indicato la produzione in volumi nel 2013.