Samsung si occuperà della produzione dei futuri microprocessori IBM Power con processo a 7 nanometri. Le CPU dell'azienda saranno poi usate in vari prodotti - IBM Power Systems, IBM Z e LinuxONE , sistemi HPC e offerta cloud con l'obiettivo di offrire grandi prestazioni a tutto tondo, con particolare attenzione al settore dell'intelligenza artificiale.
L'annuncio espande ed estende una partnership tra le due aziende che nell'ambito della ricerca e sviluppova avanti da 15 anni, nei confini della IBM Research Alliance. Insieme Samsung e IBM hanno messo a punto diverse innovazioni, da un chip con 30 miliardi di transistor prodotto a 5 nanometri, fino ad arrivare alla realizzazione del primo chip di test a 7 nanometri e all'uso di materiali High-K Metal Gate.
Samsung è anche membro della OpenPOWER Foundation, che si occupa dello sviluppo di server, soluzioni di rete e archiviazione personalizzate basate su architettura IBM Power. L'azienda fa parte anche di Q Network, collaborazione che ha l'obiettivo di migliorare la comprensione delle applicazioni del software nella branca del quantum computing.
"In IBM, la nostra priorità principale sono i nostri clienti", ha dichiarato John Acocella, vicepresidente per l'Enterprise Systems and Technology Development di IBM Systems. "IBM ha scelto Samsung per produrre la prossima generazione di microprocessori perché condivide il nostro livello di impegno per le prestazioni, l'affidabilità, la sicurezza e l'innovazione".
"Siamo entusiasti di espandere la nostra partnership strategica decennale con IBM grazie al nostro processo produttivo a 7 nm EUV", ha dichiarato Ryan Lee, vicepresidente della divisione Foundry Marketing di Samsung Electronics. "Questa collaborazione è un'importante pietra miliare per noi, in quanto rappresenta una dimostrazione di fiducia nella nostra tecnologia produttiva EUV ad alte prestazioni".
L'azienda sudcoreana ha avviato la produzione con processo produttivo a 7nm EUV nell'ottobre di quest'anno, nello specifico l'accezione 7LPP (7nm Low Power Plus). "L'EUV usa una luce con lunghezza d'onda di 13,5 nm per esporre i wafer di silicio, al contrario delle tecnologie convenzionali a immersione con fluoruro di argon (ArF) che raggiungono lunghezze d'onda solamente di 193 nm e richiedono costosi insiemi di maschere multi-pattern", spiegava Samsung poche settimane fa.
"L'EUV permette l'uso di una singola maschera per creare un layer di wafer di silicio laddove la tecnica precedente può richiedere fino a 4 maschere per creare lo stesso layer. Di conseguenza il processo 7LPP può ridurre il numero totale di maschere di circa il 20% rispetto a un processo non EUV, permettendo ai clienti di risparmiare tempo e denaro".
Riducendo la complessità si hanno vantaggi anche per quanto riguarda le prestazioni, i consumi e l'area occupata. Rispetto al processo produttivo a 10 nanometri FinFET (10LPE), il nuovo 7LPP garantisce non solo migliori rese con meno layer, ma permette fino a un 40% in più di efficienza nell'uso dell'area con un aumento prestazionale del 20% o un calo dei consumi fino al 50%.
Non è tuttavia chiaro al momento se IBM userà questo processo oppure una versione differente ottimizzata per chip di grandi dimensioni e prestazioni.
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