"Ammucchiare", "impilare", questo vuol dire "stacking". Poco tempo fa ci introdusse IBM verso questo nuovo concetto di sviluppo dei chip, non più "costruiti" in orizzontale ma in verticale, a strati. L'obiettivo è quello di "mettere più cose possibili", aumentare le prestazioni e possibilmente diminuire i costi, creando un chip chiamato "3D".
Samsung esporta questo concetto al mondo delle memorie, attraverso lo sviluppo della prima DRAM "through silicon via" (TSV), affermando che presto i 4 GB di memoria diverranno standard per il mercato di fascia media.
Come IBM (ma anche Intel), Samsung effettua incisioni attraverso il wafer di silicio e le riempie di materiale conduttivo che consente quindi di sovrapporre più chip, permettendo così il passaggio di maggiori quantità di informazioni.
Samsung TSV DRAM
Il "Through silicon via" è ricoperto di un pad in alluminio che permette di sfuggire al deterioramento delle prestazioni causato dalla ridistribuzione degli strati.
L'azienda crede che la nuova tecnologia non solo sia pronta per essere utilizzata nelle memorie future, ma permetterà velocità maggiori e consumi ridotti rispetto a oggi, sebbene non si abbiano notizie sulla tempistica con cui raggiungerà prodotti commerciali.
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