Passi avanti nella spintronica, la scienza che studia le strutture elettroniche e di spin dei vari materiali. Un gruppo internazionale di ricercatori - Università della Florida, dello Utah, di Londra e Sydney - è riuscito a capire come codificare un'informazione all'interno dello spin (momento angolare) di un elettrone di un nucleo atomico, che può essere letto elettronicamente. La scoperta potrebbe consentire, in un lontano futuro, di realizzare memorie più piccole e veloci.
Stando a quanto riportato da più siti web, i ricercatori sono riusciti a codificare un'informazione per oltre 100 secondi, un periodo di tempo mai raggiunto finora. Il loro approccio ha permesso ai dati di essere codificati sugli elettroni degli atomi di fosforo intrappolati nel silicio.
Il chip usato per la dimostrazione. I dati sono stati archiviati per 112 secondi
Il silicio "drogato" con il fosforo sembra essere una soluzione ideale per la spintronica, poiché ogni atomo di fosforo dona un elettrone in più che orbita piuttosto liberamente, ed è quindi suscettibile alla manipolazione nel cristallo di silicio. Il silicio, che costituisce già la spina dorsale degli attuali dispositivi, è il mezzo ideale per l'interfacciamento con l'elettronica esistente.
"Trovare un sistema compatibile con il silicio, il principale materiale usato nell'industria dei semiconduttori è particolarmente utile perché ha il potenziale per essere incorporato all'interno della tecnologia esistente", ha dichiarato Dane McCamey, uno dei ricercatori coinvolti nel progetto. "In futuro potremmo integrare informazioni basate sullo spin e dispositivi di elaborazione su un unico chip".
Nonostante questi passi avanti, per ridurre al minimo il movimento degli atomi oggi bisogna raffreddare il dispositivo ad alcuni gradi sopra lo zero assoluto (-273 gradi Celsius) e applicare campi magnetici 200.000 volte più potenti di quello terrestre. La sfida è solo all'inizio.