Samsung punta forte sulle memorie 3D V-NAND. L'azienda ha annunciato l'avvio della produzione di massa di soluzioni con 32 strati di celle impilati verticalmente - in passato si era fermata 24 strati). V-NAND sta per Vertical NAND ed è un cambio di paradigma per l'intera industria. Significa infatti che lo sviluppo della memoria non avviene più su un piano bidimensionale (2D), bensì in verticale, quindi con strati impilati sull'altro come i piani di un grattacielo. Da qui il termine 3D.
L'immagine di un SSD V-NAND di prima generazione
A detta di Samsung, ma in verità di tutto il settore, le memorie 3D sono il futuro. Permettono infatti di raggiungere migliori prestazioni, maggiore densità, resistenza e un'efficienza superiore. "I nuovi SSD basati su memoria 3D V-NAND offrono circa il doppio della resistenza in scrittura e consumano il 20% di energia in meno rispetto alle soluzioni basate su memoria planare (2D) MLC NAND".
Di fatti, parallelamente a questo annuncio, l'azienda sudcoreana ha anche dichiarato che la nuova memoria salirà a bordo di una serie di SSD. L'aspetto interessante è che se la prima generazione era destinata ai datacenter, la nuova gamma punta anche alla fascia alta del settore PC. Aspettiamoci quindi nuovi prodotti da 128 GB, 256 GB, 512 GB e 1 TB.
Purtroppo Samsung non si è sbilanciata né sulle tempistiche (ma arriveranno entro l'anno), né sul nome della gamma, né sui possibili prezzi. Attediamo (fiduciosi).
