Ridurre il consumo di energia nei chip del futuro è un argomento prioritario nell'industria dei semiconduttori. Esperimenti con nuovi materiali che possono sostituire o far da complemento ai substrati odierni sono sempre al vaglio delle aziende. Infatti Intel ha scoperto un materiale che potenzialmente permetterà ai chip di lavorare senza surriscaldarsi troppo e nel frattempo di consumare meno energia.
L'azienda ha dimostrato in collaborazione con i ricercatori QinetiQ, un prototipo di transistor a basso consumo composto da indium antimonide (InSb). L'azienda crede che l'InSb possa essere complementare il silicio, permettendo di accellerare i transistor del 50%, riducendo nel contempo i consumi con un fattore pari a 10.
Ken David di Intel si aspetta che questa tecnologia giochi un ruolo importante nella cosiddetta legge di Moore, secondo la quale il numero dei transistor in un'area specifica raddoppia ogni 18/24 mesi.
Secondo l'azienda, l'InSb si trova in una classe di materiali denominata III-V, utilizzati oggi in molti dispositivi discreti come gli amplificatori radio. Il prototipo annunciato ha una lunghezza della base di 85 nanometri - mentre i transistor odierni vedono la loro lunghezza di base pari a 50 nm con processo produttivo 90 nm. La generazione di chip a 65 nanometri, che debutterà tra la fine del 2005 e l'inizio del 2006, ridurrà la lunghezza della base a 35 nm.
Tuttavia, Intel afferma che il transistor InSb opera a 0.5 volt, circa la metà di quanto effettuato dai transistor odierni. L'azienda dichiara che questa tecnologia "aumenterà la vita della batteria nei dispositivi mobile ed incrementerà le opportunità di produrre dispositivi sempre più piccoli". Purtroppo Intel si è rifiutata di indicarci una data per la produzione di massa di dispositivi integranti transistor InSb.
