Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. (TSMC) ha annunciato i dettagli della produzione high-k/metal-gate, che inizierà con i 28 nanometri, anche se in origine ci si attendeva che l'offerta fosse servita con la produzione a 32 nanometri.
Per quanto riguarda il processo a 32 nanometri, si tratterà di una versione a basso costo della tecnologia a 40 nm, mentre i 28 nanometri vengono definiti da TSMC come un'offerta "full node". "Sia il processo a 32 che quello a 28 nanometri faranno uso della litografia a immersione a 193 nanometri, interconnessioni in rame, materiali dielettrici ultra low-k, strained-silicon e altre funzionalità", riporta EE Times.
I 28 nanometri saranno offerti in due opzioni: high-k/metal-gate (con versione low-power e high-performance) e SiON. L'offerta high-k/metal-gate è attesa nel primo trimestre 2010. IBM e Samsung potrebbero guadagnare terreno su TSMC grazie alla possibilità di usare transistor high-k/metal-gate fin dal processo a 32 nanometri.