SK Hynix starebbe lavorando a un nuovo tipo di memoria capace di proporre un'ampia interfaccia a costi inferiori rispetto alle soluzioni offerte dai chip HBM (i chip di memoria disposti in verticale sono connessi tra loro tramite micro-fori applicati alle estremità del banco).
Il nuovo tipo di memoria utilizzerà il packaging 2.5D fan-out (una soluzione emergente di packaging per semiconduttori che consente l'integrazione di più circuiti integrati su un singolo wafer, offrendo interconnessioni ad alta densità e una migliore integrità del segnale) e potrebbe essere impiegato per applicazioni grafiche o mobile, almeno secondo quanto riportato da BusinessKorea.
Al centro della tecnologia di SK Hynix c'è un'idea semplice ma efficace: posizionare due dispositivi DRAM uno accanto all'altro e fonderli in uno solo utilizzando, per l'appunto, un metodo di packaging FOWLP (Fan-out Wafer-Level Packaging) 2.5D.
Questo eliminerebbe la necessità di uno strato aggiuntivo sotto i dispositivi (usato per i dispositivi di memoria dual-die), portando a chip più sottili e alla creazione di un dispositivo di memoria con un'interfaccia più ampia.
Almeno sulla carta, questa sarebbe una grande svolta rispetto al modo usuale di realizzare chip di memoria dual- o multi-die, permettendo a SK Hynix di essere pioniera di una metodologia capace di unire ampie interfacce ed efficienza dei costi.
I dispositivi di memoria moderni, quali GDDR6 e LPDDR5X, presentano un'interfaccia da 32 o 64 bit, mentre gli stack HBM vantano un'interfaccia da 1024 bit, la quale offre una larghezza di banda massima radicalmente superiore, nonostante abbiano una velocità di trasferimento dati inferiori.
Tuttavia, per costruire un dispositivo HBM, aziende come SK Hynix devono impilare più dispositivi di memoria, collegarli utilizzando una connessione TSV (a silicio passante), posizionarli su uno strato di base e quindi collegarli a un processore host utilizzando un interposer.
Date tutte le complessità, l'HBM è incredibilmente costoso. Ecco perché viene principalmente utilizzato per soluzioni data center ed enterprise.
Al contrario, la DRAM di SK Hynix, realizzata utilizzando un FOWLP 2.5D, salta le connessioni TSV e omette gli interposer, riducendo notevolmente il costo di produzione finale.
Nel frattempo, i dispositivi di memoria realizzati con questa metodologia, presenterebbero un'interfaccia relativamente più ampia e quindi una larghezza di banda per chip superiore.
Uno dei principali motivi per cui SK Hynix sta adottando questo nuovo packaging è ridurre i costi. Pur non avendo parlato di costi precisi, il report di BusinessKorea presume che siano superiori a quelli di LPDDR e GDDR, ma molto inferiori a quelli dell'HBM.
In linea con la strategia dell'azienda, ovvero il voler realizzare dispositivi di memoria per applicazioni specifiche e prodotti in quantità minori, almeno inizialmente questi nuovi tipi di memoria saranno utilizzati, esclusivamente, per pochi dispositivi molto specifici.