Le memorie PCM (phase change, conosciute anche come PRAM), che soppianteranno in futuro quelle NAND flash, sono a una svolta decisiva secondo Intel e Numonyx. Le due aziende hanno sviluppato un chip di test a 64 Mb che permette "d'impilare o piazzare più strati di array PCM all'interno di un singolo die".
Wafer di memoria PCM
La memoria PCM combina molti dei benefici della RAM e della memoria flash. Come la RAM, la memoria PCM può scrivere bit singoli o bit anziché interi blocchi. Può farlo con una latenza molto ridotta e un bandwidth in lettura simile (ma un bandwidth in scrittura più basso). PCM è anche non volatile, quindi "ricorda" i dati anche senza energia, come la memoria flash degli SSD.
La nuova scoperta potrebbe permettere una produzione a costi più contenuti di memoria PCM, che ora si aggirano su livelli simili a quelli delle attuali NAND Flash. Inoltre è previsto un aumento della densità dei chip. Le due aziende non hanno parlato della data di debutto di queste nuove memorie, ma la riuscita dei test potrebbe accelerarne l'arrivo sul mercato.
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