Samsung ha presentato Exynos 4212, un processore dual-core Cortex A9 realizzato con processo produttivo 32 nm High-K Metal Gate (HKMG) a basso consumo. Si tratta di un chip più evoluto rispetto all'Exynos 4210 del Samsung Galaxy S II, un dual-core Cortex A9 da 1.2 GHz con core grafico ARM Mali 400 realizzato a 45 nanometri.
L'Exynos 4212 può lavorare a una frequenza massima di 1.5 GHz, mentre non conosciamo la frequenza della GPU. L'azienda parla di un miglioramento delle prestazioni grafiche fino al 50% rispetto alla precedente generazione. Un'indicazione troppo generica per trarre conclusioni. Il system on chip include il supporto all'HDMI 1.4, permette di registrare e riprodurre flussi video a 1080p ed è in grado di gestire i codec più comuni senza difficoltà .
Il passaggio al nuovo processo produttivo permette a Samsung di "incrementare di circa 40% le prestazioni con la stessa dispersione di corrente o ridurre di dieci volte la dispersione alla stessa velocità ". Inoltre è possibile inserire più componenti all'interno del chip oppure creare un chip con lo stesso insieme di caratteristiche, ma più piccolo.
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Per quanto riguarda i consumi, l'Exynos 4212 dovrebbe garantire una riduzione del 30 percento rispetto alla precedente generazione. Anche in questo caso non sappiamo se il riferimento sia l'Exynos 4210 o un altro SoC. I primi sample del nuovo chip saranno realizzati e distribuiti ai partner nel corso del quarto trimestre, per cui è lecito aspettarsi di vederlo all'interno di nuovi terminali nel corso del 2012. Il prossimo anno vedremo anche altri due prodotti di Samsung. Il primo è una memoria LPDDR3 4 Gb per smartphone e tablet, mentre il secondo è un sensore CMOS da 16 Megapixel.
La memoria può lavorare fino a 1600 MHz, offrendo prestazioni più elevate rispetto alle LPDDR2 che operano a 1066 MHz. Secondo Samsung il nuovo chip consuma il 20 percento in meno rispetto alle memorie precedenti. Impilandone due è possibile realizzare un singolo package da 1GB con una velocità di 12.8GB/s. I primi sample di memoria LPDDR3 saranno pronti nel prossimo trimestre e realizzati con processo produttivo a 30 nanometri.
Per quanto concerne il sensore d'immagine, invece, abbiamo un CMOS a 16 megapixel (S5K2P1). Si tratta di una soluzione 1/2.3" con tecnologia backside illumination pixel (BSI) a 1.34 micrometri. Supporta il formato video nativo 16:9 fino a 8.3 megapixel e 60 fps. Il sensore Samsung S5K2P1 è attualmente nelle mani di alcuni partner, mentre la produzione in volumi dovrebbe partire a novembre.