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AMD, ecco come funziona nel dettaglio la tecnologia 3D V-Cache dei prossimi Ryzen

AMD ha rivelato ulteriori dettagli sulla sua tecnologia 3D V-Cache che sarà implementata sui prossimi chip Zen 3 in arrivo all'inizio del 2022.

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Avatar di Sara Grigolin

a cura di Sara Grigolin

@Tom's Hardware Italia

Pubblicato il 25/08/2021 alle 11:20
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AMD, durante la conferenza Hot Chips 33, ha svelato ulteriori dettagli sulla tecnologia 3D V-Cache che farà parte dei nuovi chip basati su architettura Zen 3, in produzione quest’anno e in vendita nel 2022.

Secondo AMD, il 2021 segnerà la prima introduzione della sua architettura 3D Chiplet. Abbiamo già visto packaging 2D e 2.5D su prodotti consumer e server, ma con 3D V-Cache, finalmente entreremo nello stacking 3D. 3D Chiplet infatti significa che la memoria SRAM è impilata verticalmente sopra al core complex die, il CCD. L'uso della tecnologia chiplet 3D aumenta anche la densità di interconnessione pur mantenendo una potenza bassa.

Photo Credits: AMD

Il CEO di AMD, Lisa Su, aveva già anticipato la tecnologia durante il Computex 2021. In quel caso aveva mostrato il prototipo di chip Ryzen 9 5900X funzionante, evidenziando le migliori performance ottenibili in ambito gaming, pari, in questo caso, ad una media del 15% a risoluzione 1080p. Mettendo a confronto il prototipo del Ryzen 9 5900X con la nuova 3D V-Cache contro un 5900X standard, con entrambi i chip bloccati a una velocità di clock di 4,0GHz, sono state registrate prestazioni migliori del 12% su Gears 5, e un guadagno medio del 15% in titoli come Dota 2, Monster Hunter World, League of Legends e Fortnite.

AMD, come riporta WCCFTech, ha ora condiviso nel dettaglio come integra la V-Cache 3D sul suo CCD Zen 3. Ciò si ottiene attraverso l'uso di diverse interconnessioni verticali TSV, che consentono di arrivare sino a 2TB/s di larghezza di banda tra il chip e la cache. L'interconnessione utilizza un nuovissimo collegamento dielettrico idrofilico diretto rame su rame che è stato progettato e co-ottimizzato in stretta collaborazione con TSMC. I due singoli chip sono legati insieme utilizzando questa tecnologia.

Secondo AMD, il legame ibrido ha un "pitch", ovvero la distanza tra i vari collegamenti TSV, di 9 micron, che è leggermente più piccolo dell'interconnessione Forveros di Intel che ha un passo di 10 micron. L'efficienza energetica dell'interconnessione è 3 volte superiore rispetto alle implementazioni Micro Bump 3D, e la densità dell'interconnessione è invece 15 volte superiore.

AMD sottolinea anche questo è solo l'inizio di ciò che potrebbero ottenere con lo stacking 3D. In futuro, AMD prevede di sfruttare lo stacking 3D per impilare CPU sopra CPU, i core sopra i core, l'IP sopra l'IP e le cose potrebbero diventare davvero sempre più pazzesche.

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