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Buffalo ha annunciato che presto inizierà la produzione dei primi sample di SSD in cui la memoria NAND flash sarà affiancata da una cache formata da MRAM (probabilmente prodotta da Everspin Technologies). La nuova tecnologia prenderà sostanzialmente il posto della classica DRAM.
L'azienda ha mostrato il primo prototipo all'Embedded Systems Expo che si è tenuto in Giappone. L'unità che vedete è formata da 4 GB di Flash e 8 Mbyte di cache MRAM, ed è indirizzata a clienti corporate nel settore industriale che necessitano di un'elevata affidabilità , dato che può operare a temperature estreme ed è in grado di resistere a radiazioni elevate. MRAM è l'acronimo di magnetoresistive random-access memory, e si tratta di una tecnologia non volatile che potrebbe avere un grande impatto sul mondo della memoria dati i suoi a evidenti benefici.
Funziona in modo totalmente diverso rispetto alla DRAM. A differenza di quest'ultima la MRAM non richiede refresh dei dati, mantiene l'informazione in assenza di energia e non consuma in modo costante. Inoltre sulla carta dovrebbe garantire una densità elevata.
I meno entusiasti del potenziale delle MRAM affermano è troppo presto per parlare di questa memoria come la soluzione che sostituirà tutte le altre, in quanto al momento il costo di realizzazione è ancora troppo elevato e sul fronte della densità non si è arrivati al livello previsto in origine. Non è un caso quindi che nel prototipo ve ne siano solo 8 MB.
Insomma, passerà molto tempo - chissà forse non avverrà mai - prima di vedere il debutto di SSD basati su MRAM sul mercato consumer. Il passo di Buffalo però è di quelli che possono accrescere l'interesse e far confluire maggiori investimenti su questa tecnologia, accelerandone la crescita e la diffusione sul mercato.
